г да

\i4lL

Рис. 3.21

I -J я -

.20 77

II да

m ш тл

i да

шов те шов

Рис. 3.22

Рис. 3.24. Зависимость дифференциальной нелинейности ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 от напряжения питания t/„i при t;„2=-5 В

Рис. 3.21. Включение микросхем КМ1118ПА2, КР1118ПА2 при работе в режиме ТТЛ:

/ - ИС; 2 ~ источник опорного напряжения, 3 - генератор тактовых импульсов. 4 - генератор стробирующих импульсов; 5-источник питания Vc€\ , 6- источник питания Ucci

Рис. 3.22. Включение ИС КМ1118ПА2, КР1И8ПА2 при работе в парафазном режиме ЭСЛ:

/ - ИС, 2 - источник опорного напряжения REF генератор тактовых импульсов; 4 - генератор стробирующих импульсов, 5 - источник питания Ucc2

Рис. 3.23. Включение ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 при работе в режиме ЭСЛ:

/ - ИС, 2-источник опорного напряжения REF генератор тактовых импульсов; 4 - генератор стробирующих импульсов; 5-источник питания

о,г5 -

0,21 -

0 2i

%75 875 5,0 5,125 ЩсВ

Рис. 3.25. Зависимость нелинейности ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 от напряжения питания lJcc\ при Vcei- -5 в

B37D

- 20

- 15

-5,125 -5,0 -1,875 -1,75

Рис. 3.26. Зависимость дифференциальной нелинейности ИС КМ1118ПА2, ltP1118nA2 от напряжения питания

Ucc2

во т,%

Рис. 3.28. Зависи.мость нелинейности ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 от температуры

- 0,245

- 0,240

0,235

l/cc2>B ,0 -4,875 -4,75

Рис. 3.27. Зависимость нелинейности ИС KMl 118ПА2, KPl 1 18ПА2 от напряжения питания Uca

O.S -

"дТг---

I 0,2

60 J," С

Рис. 3.29. Зависимость дифференциальной нелинейности ИС КМ1118ПА2, КРИ18ПА2 от температуры

-5,125 -5,0 -¥,875 -4,75

Si. в,МЗР z 0,38

- 0,31 0,36

Рис. 3.30. Зависимость напряжения смещения нуля ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 при включении от напряжения питания Ucci в режиме ЭСЛ

ИсгВ -5,125 -5,0 -f,S75 -t,75

Рис. 3.31. Зависимость погрешности ИС КМ1118ПА2, КР1118ПА2 в конечной точке ХП от напряжения питания Ucc2 в режиме ЭСЛ

60 T,°C

60 T,°C

Рис. 3.32. Зависи.мость времени установления при включении от температуры в режиме ЭСЛ

Рис. 3.33. Зависимость времени установления при выключении от температуры в режиме ЭСЛ

старший разряд

младший разрлд

тттттттт т-хл:

/4м буф

\ZR \2.R 2Д l2/f

Рис 3 34 Структурная схема ЦАП К1118ПА1, КМ1118ПА1

В данном ЦАП применена структура с комбинированным способом формирования разрядных токов, в которой токи пяти старших разрядов формируются с помопхью ИТ со взвешенными резисторами, а трех младших - с помощью ИТ с матрицей R-2R. Для сокращения общего числа эмиттерных переходов в ИТ транзисторы трех младших разрядов работают при плотности тока через переход, уменьшенной в 4 раза по отношению к старшим разрядам [32]. В четырех старших разрядах разрядные токи формируются с помощью параллельно включенных одинаковых ИТ, число которых в каждом разряде соответствует весу разряда. Разрядный ток старшего (первого) разряда формируется восемью параллельно включенными ИТ на двухэмиттерных транзисторах, а последующих три разряда содержат 4,2 и 1 ИТ соответственно. Транзистор ИТ пятого разряда содержит только один эмиттер (по сравнению с двумя в четвергом разряде). Такое решение позволяет исключить влияние геометрии транзисторов ИТ на нелинейность характеристики преобразования. В отношении числа эмиттерных переходов такая структура эквивалентна обычной структуре со взвешенными резисторами. В ИТ трех младших разрядов использованы транзисторы, геометрические размеры которых равны размерам транзисторов старших разрядов, но работающие при плотности тока эмиттерных переходов в 4 раза меньшей. Так как потенциалы эмиттеров всех ИТ равны, то напряжение транзисторов ИТ трех младших разрядов должно отличаться от предыдущих на величину A\Jъ(, = 11x1 h, где фт- - температурный потенциал. Эта разность напряжений создается током /см на резисторе /?см, включенном в общую базовую шину между транзисторами ИТ пятого и шестого разрядов. Значение сопротивления /?см выбирается с учетом базового тока транзисторов младших разрядов и его разброса. Резисторная матрица для