Bxad-K.

аналоговый

Рис. 4.12. Принципиальная электрическая схема входного усилителя

сопротивлением резисторов R\8. Элеменх! СЮ, RVi

служат для коррекции АЧХ усилителя. Emkocti, конденсатора СЮ 1...8 пФ, сопротивление резистора R\Z 10...2U Ом. Резисторы R\ и R2 образуют входной делитель, которым определяется

Таблица 4.3. Зависимость входных сопротивлений и напряжений буферного усилителя от номиналов резисторов R1 и R2

входное сопротивление и входное напряжение буферного усилителя. Зависимость входного сопротивления и напряжения от номиналов резисторов R\ и R2 приведена в табл. 4.3.

\ 15. Типовые зависимости точностных и динамических параметров микросхемы КИ07ПВ1 от температуры окружающей среды пряведены на рис. 4.13-4.18.

-75 О 15

Рис. 4.13. Зависимость времени преобразования от температуры окружающей среды при (У,£ = 5 В, Uici=- В

Рис 4 14 Зависимость частоты преобразования от температуры окружающей среды при (if,1=5 В, (У„2=-6 В

Рис. 4.15. Типовая зависимость нелинейности от температуры окружающей среды при (У<,=5 В, 6f<2=-6 В

Рис. 4.16. Зависимость дифференциальной нелинейности от температуры окружающей среды при (У,, 1=5 В, (У,,-> = = -6 в

Рис. 4.17. Зависимость выходного напряжения высокого уровня от тока нагрузки при Ucci=-5 В, и„1=-6 В, 7=25 + 10° С

Рис. 4.18. Зависимость выходного напряжения низкого уровня от тока нагрузки при Ucti-o В, Uti>=-6 В, 7=25±10°С

4.2. ШЕСТИРАЗРЯДНЫЕ АЦП КП07ПВЗ С ЧАСТОТОЙ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ 100 И 50 МГц

Полупроводниковые микросхемы K1107IIB3 представляют co6J)u 6-разрядные аналого-цифровые преобразователи параллельнс/го типа с ЭСЛ выходами и частотой преобразования 100 МГц (тип Л) и 50 МГц (тип £) [6, 7].

Функция, выполняемая микросхемой,- преобразование аналогового напряжения в диапазоне от -2,5 до 2,5 В в эквивалентное 6-разрядное цифровое слово в виде параллельного двоичного 1ода.

Микросхема К1107ПВЗ отличается от 6-разрядного АЦП К1107ПВ1 более высоким быстродействием и наличием разряда переполнения, что значительно расширяет область применения данной микросхемы. Увеличение быстродействия достигнуто благодаря применению выходных каскадов ЭСЛ и упрогцению системы шифрации АЦП. Однако упрощение структурной схемы ИС К1107ПВЗ привело к некоторым особенностям ее работы и применения по сравнению с микросхемой К1107ПВ1. Высокое быстродействие также обеспечивается применением эпитаксиально-планарной технологии изготовления кристалла АЦП, позволяющей формировать транзисторные структуры с граничной частотой усиления порядка 1,5 ГГц.

Особенностью ИС К1107ПВЗ является низкая нелинейность ХП. Даже при уменьшении входного диапазона аналогового сигнала Uref\ - IJrefi до 1,5 В нелинейность ХП не превышает значения ±0,25 ЕМР, а при входном диапазоне 0,6 В нелинейность ХП увеличивается до ±0,5 ЕМР. Хорошая нелинейность ХП и наличие разряда переполнения в ИС К1107ПВЗ дают возможность наращивать разрядность преобразования до 7-го и 8-го разрядов путем несложного параллельного соединения микросхем при параллельном способе преобразования [1, 7].

Конструктивно ИС К1107ПВЗ выполнена в металлокерамическом 16-выводном корпусе 201.16-13. Диапазон рабочих температур микросхем составляет -10...+ 70 °С.

Назначение выводов ИС КП07ПВЗ

Общий («аналоговая» земля)........... /

Опорное напряжение Uref i (+2,5 В)........ 2

Вход (аналоговый сигнал)........... 3

Опорное напряжение Uref 2 (-2,5 В)........ 4

Напряжение контроля гистерезиса Uh........ 5

Вход (тактовый сигнал)............ 6

Напряжение питания t/cc 1 (+5,0 В)......... 7

Напряжение питания Uc 2 (-5,2 В)......... S

Выход 6 (младший разряд)........... 9

Выход 5................ 10

Выход 4.................

Выход 3................. 12

Выход 2................. 13

Выход / (старшин разряд)........... 14