необходимо изменение емкости в девять раз и т. д. Одним словом, если вы хотите, чтобы частота настройки контура изменялась в Kf раз, то нужно, чтобы емкость настроечного конденсатора изменялась в Кс = /с раз Это и есть квадратичная зависимость

У нас как будто все получается прекрасно: емкость контура уже с учетом паразитных емкостей меняется в девять раз. Поэтому поворотом ротора конденсатора настройки мы полностью перекрываем средневолновый диапазон и даже с некоторым избытком длинноволновый (для точного перекрытия диапазона ДВ достаточно, чтобы емкость изменялась в 2,72 - - 7,3 раза).

Нарисованная нами благополучная картина, к сожйлению, не всегда соответствует действительности. И прежде всего потому, что паразитная емкость может оказаться значительно больше 20 пф, особенно при длинных монтажных проводах. К чему же приводит увеличение паразитной емкости? Об этом лучше всего расскажет числовой пример.

Представьте себе, что паразитная емкость равна не 20 пф, а 50 пф, а значит, минимальная и максимальная емкости контура соответственно равны Ск-мин = 10 + 50 = 60 пф и Ск-макс = = 250 + 50 = 300 пф. В этом случае при полном повороте ротора конденсатора настройки емкость контура меняется в пять раз (300 : 60 = 5), а частота настройки соответственно в 2,3 раза (2,32-5). Естественно, что при таком изменении частоты настройки можно будет перекрыть лишь часть диапазона СВ или ДВ: например, от 525 до 1200 кгц (СВ) и от 150 до 250 кгц

(ДВ).

Но и для такого частичного перекрытия диапазонов еще необходимо будет несколько уменьшить число витков контурной катушки. Ведь катушка рассчитана на максимальную емкость 250-270 пф, и при большей емкости (а у нас она теперь достигает 300 пф\) контур выйдет за границу диапазона и окажется настроенным на слишком длинные волны, где вещательные станции вообще не работают.

Такой избыток в низкочастотной (длинноволновой) части диапазона не был бы сам по себе неприятен, если бы у нас не оказался «отрезанным» больщой участок в высокочастотной его части, то есть в области самых коротких волн диапазона. (Вряд ли стоит шить пиджак с большими накладными карманами, если не хватает материала на рукава.) Поэтому-то и возникает необходимость уменьшить число витков катушки, сдвинуть весь диапазон в сторону более коротких волн и таким образом хоть в какой-то степени скомпенсировать недостаточ-122

ное перекрытие диапазона конденсатором переменной емкости.

Подобные же трудности возникают, если во входном контуре использовать конденсатор с иными значениями максимальной и минимальной емкости по сравнению с конденсатором, на который рассчитана контурная катушка. Так, например, применяя в качестве Сг керамический конденсатор настройки типа КПК-3, имеющий максимальную емкость 150 пф и минимальную 25 пф, мы фактически сможем перекрыть лишь половину каждого диапазона. Если оставить данные катушек без изменения, то контур не будет настраиваться на длинноволновую часть диапазона (не хватит емкости), а если примерно в полтора раза увеличить число витков катушек, то мы скомпенсируем уменьшение максимальной емкости настроечного конденсатора, попадем в длинноволновые участки диапазонов, но, естественно, при этом выйдем из коротковолновых участков.

В сильной степени влияет на настройку контура и собственная емкость антенны. Причем влияние это всегда неприятное-чем больше емкость антенны, тем меньше перекрытие диапазона. Когда, добавив к детекторному приемнику несколько усилительных каскадов, вы сможете наконец вести прием только на магнитную антенну, а внешнюю антенну отключить, то диапазон, перекрываемый конденсатором Сг, заметно увеличится.

Приведенные грустные примеры, конечно, не исчерпали осложнений, которые могут возникнуть при подгонке индуктивности и емкости колебательных контуров. Но эти примеры, по-видимому, достаточно ясно показали, что при изготовлении колебательных контуров может понадобиться в значительной степени отклониться от тех данных контурных катущек, которые с большой точностью приводятся в описаниях самодельных приемников.

Кроме этого общего примечания, таблица 7 нуждается еще и в нескольких конкретных примечаниях.

При изготовлении магнитных антенн средневолновая катушка наматывается в один слой, а длинноволновая - «внавал», то есть без определенного порядка. При намотке длинноволновой катушки желательно все же разбить ее на три-четыре секции, каждая из которых может иметь ширину 5- 7 мм при расстоянии между секциями 3-5 мм. Во всех случаях обмотку укладывают на два-три слоя плотной бумаги или хлорвиниловой пленки, предварительно намотанной на ферритовый сердечник. Для того чтобы закрепить выводы ка-

тушек, проще всего надеть на стержень четыре (по числу выводов) тугие резинки.

Подгонка индуктивности катушек Li и Lz осуществляется самым примитивным образом: отматыванием или добавлением витков. Это не слишком приятная операция, особенно если имеешь дело с литцендратом. Во всех других катушках, где есть подвижный сердечник, точная подгонка индуктивности производится с его помощью: чем глубже вдвинут сердечник в катушку, тем больше ее индуктивность. В магнитной антенне подвижного сердечника нет, и, если нужно осуществить точную подгонку индуктивности, пользуются иным способом.

Всю катушку разделяют на две половинки и одну из них делают подвижной - наматывают на бумажной гильзе, которая легко перемещается по ферритовому стержню. Если сближать половинки катушки, то ее общая индуктивность увеличивается, если раздвигать - уменьшается. Увеличение индуктивности происходит за счет так называемой взаимоиндукции, то есть за счет того, что каждая половинка усиливает магнитное поле другой половинки.

Для детекторного и даже для простого транзисторного приемника нет смысла усложнять конструкцию магнитной антенны и вводить точную подгонку индуктивности катушки Li и Lz. Но если вы все же попробуете это сделать, то не делите всю обмотку на две равные части, а оставьте в подвижной секции примерно 10-20% общего числа витков. Даже такая небольшая подвижная секция позволит в некоторой степени менять индуктивность катушки. И в то же время отвод от небольшого числа витков пригодится нам для некоторых схем транзисторных приемников.

Кстати, попробуйте подключить к отводу цепь детектора. При таком автотрансформаторном включении явно улучшится избирательность, а может быть, даже возрастет громкость приема.

Уменьшая число витков, к которым подключен детектор (раньше он подключался ко всей катушке, а теперь к ее части), мы уменьшаем ту часть напряжения, которое поступает на детектор с колебательного контура. Это, конечно, проигрыш. Но в то же время мы уменьшаем и потери, которые детектор вносит в контур, и, значит, повышаем добротность контура, общее напряжение на нем. А это, конечно, выигрыш. Существует такая точка отвода от катушки, при которой выигрыш оказывается больше, чем проигрыш, и при подключении детектора к этой точке громкость возрастает. Это очень интересное решение - проигрыш, дающий выигрыш,- и вы навер-124

няка еще будете вспоминать о нем, анализируя различные электронные схемы.

На этом, пожалуй, мы закончим наши практические работы с диодами и перейдем к транзисторам. И, так же как мы это делали при знакомстве с диодами, начнем с нескольких простых опытов.

ЗДРАВСТВУЙ, ТРАНЗИСТОР!

Прежде чем производить с транзистором опыты, нужно узнать его название, определить, какой из выводов-проволочек относится к базе, какой - к эмиттеру, а какой - к коллектору, и, наконец, проверить исправность прибора.

Название транзистора написано на нем самом - иногда сбоку, а иногда на плоской «макушке». Там же указана дата изготовления (обозначение «XII 67», например, означает, что прибор сделан в декабре 1967 года), а также марка завода-изготовителя.

В дальнейшем будет подробно рассказано о том, из каких элементов складывается название транзистора и что означают отдельные буквы и цифры в этом названии. А пока лишь отметим, что система названий транзисторов несколько раз менялась и что названия старых и новых приборов часто расшифровываются по-разному. Однако при этом буквы всегда дают общую характеристику прибора, а цифры указывают его конкретный тип.

Так, например, буква «П» означает «плоскостной», а в новых названиях буквы «ГТ» означают «германиевый транзистор». В то же время транзисторы П4, П8, П13, П201-это все совершенно разные приборы, с разными назначениями, параметрами, характеристиками, и именно в цифрах отражены все эти различия.

Итак, если вы хотите научиться по названиям различать транзисторы, то должны помнить, какая цифра к какому конкретному типу прибора относится. Задача эта не простая, она требует большого внимания и хорошей памяти. Однако решение задачи облегчается следующими тремя обстоятельствами.

Во-первых, существуют своего рода семейства транзисторов со многими схожими чертами и близкими номерами.

Так, например, транзисторы П8, П9, П10 и П11,(обратите внимание - цифры идут подряд)-это все приборы типа п-р-п, изготовленные по одной и той же технологии и различающиеся лишь некоторыми (правда, очень важными!) параметрами. Точно так же к одному семейству относятся р-п-р

транзисторы П13, П14, П15 и П16 (опять цифры подряд), хотя и они различаются по некоторым очень важным параметрам.

Зато очень резко отличаются от этой группы - и по технологии и по такому важному параметру, как предельная частота усиления,-транзисторы другого семейства: П401, П402 и П403 (цифры подряд). Это высокочастотные транзисторы, и самый низкочастотный из них (П401) работает на частоте 60 Мгц. В то же время для самого высокочастотного транзистора предыдущей группы (П15) частотный предел - 2 Мгц.

Совсем другая отличительная черта у транзисторов семейства П201, П202 и П203 (цифры подряд). Это мощные транзисторы, с помощью которых можно усилить сигнал до 10 вт. А у всех семейств, о которых шла речь до этого, предельная выходная мощность - 50-150 мет. то есть в десятки раз меньше.

Второе обстоятельство, облегчающее запоминание конкретных типов транзисторов, связано с тем, что, начиная с некоторого времени, их группировали в сотни. Так, в первую сотню входят только сплавные р-п-р транзисторы малой мощности, работающие на сравнительно невысоких частотах (исключение составляют старые названия, например: П4 - очень мощный триод, ПЗ - мощный триод, П8 -ПП -триоды п-р-п) \ во вторую сотню входят сравнительно мощные р-п-р-транзисторы, в четвертую - высокочастотные транзисторы, и т. д.

И, наконец, третье обстоятельство, помогающее ориентироваться в океане параметров и названий,- большое число справочников по транзисторам. Кроме того, данные наиболее распространенных приборов имеются в большинстве книг, где приводятся транзисторные схемы. Сведения о некоторых отечественных популярных транзисторах вы найдете и в этой книге на стр. 259-262.

Для опытов, которые мы сейчас проведем, так же как и для наших первых транзисторных схем (рис. 44), можно взять любой транзистор семейства П13-П16 (МП13-МП16), или, что почти то же самое, любой транзистор семейства П39- П42 {МП39-МП42). Определить выводы у этих транзисторов довольно просто. Все выводы расположены в один ряд, и средний из них (он, кстати, соединен с металлическим корпусом) - это база. А вот как находят другие выводы у П13- П16.

Совершенно ясно, что по одну сторону от базы (средний вывод) находится вывод коллектора, по другую-вывод эмиттера. Отличить их тоже несложно. Во-первых, загнутый и прикрепленный к корпусу кусочек среднего вывода (вывода базы) направлен в сторону коллектора. Во-вторых, сам вывод эмит-126

Рис. 50. Сопротивление рп-перехода различно при разной полярности батареи, и это позволяет проверять исправность диодов и транзисторов

с помощью омметра.

тера расположен чуть ближе к выводу базы, чем вывод коллектора. У других транзисторов выводы располо:;;ены совсем по-и«ому, и их можно определить по справочному рисунку на стр. 268-269.

Итак, мы определили выводы выбранного транзистора: средний вывод - это база, ближний к нему - эмиттер, дальний- коллектор. (Еще раз напоминаем: это справедливо лишь для нескольких транзисторов!) Теперь попробуем проверить исправность транзистора. Проще всего это сделать с помощью омметра: нужно измерить прямое и обратное сопротивление эмиттерного и коллекторного переходов. Прямое сопротивление /?пр каждого из этих переходов должно быть очень небольшим, обратное /?обр -очень большим (рис. 50).

При измерении сопротивлений рп-перехода вам даже не нужно задумываться над тем, когда вы измеряете R,, а иогда /?обр. Вы можете поступить так: подключите омметр к эмиттеру и базе, заметьте сопротивление, затем поменяйте местами концы омметра и еще раз заметьте сопротивление. В одном случае сопротивление должно быть большим, в другом - ма-