лым, потому что в одном случае внутренняя батарейка омметра подключена к базе «плюсом» (измеряется обр), в другом- к базе «минусом» (измеряется Rnp). И не стоит задумываться, в каком случае к базе подключен «минус» внутренней батарейки омметра, а в каком «плюс». Если при смене концов омметра вы обнаружите два разных, резко отличающихся сопротивления, то можете считать, что эмиттерный рп-переход исправен.

Точно так же, меняя концы омметра и замечая, как при этом меняется сопротивление, можно проверить исправность коллекторного рп-перехода. И так же, кстати, можно проверить исправность любого полупроводникового диода.

Если при проверке рп-перехода окажется, что в обоих направлениях он обладает очень большим сопротивлением, то можно предположить, что один из выводов просто отпаялся, «отгорел» от своей зоны. Если же окажется, что в обоих направлениях сопротивление рп-перехода очень мало, то вероятнее всего, что произошел пробой и обе зоны, образующие рп-переход, соединились накоротко.

При проверке транзистора легко допустить ошибку, перепутав вывод базы с каким-нибудь другим выводом. В этом случае может оказаться, что вы измеряете сопротивление между эмиттером и коллектором, а это сопротивление у исправного транзистора всегда будет очень большим, как бы вы ни меняли местами выводы омметра.

Узнав тип транзистора, определив его выводы и убедившись в исправности прибора, можно приступить к опытам. Нужно сказать, что сами эти опыты могут быть использованы для проверки транзисторов. Точно так же и опыты с диодом можно использовать для его проверки. Проделайте с диодом любой из двух показанных на рис. 41 опытов, и если он удастся, значит, диод исправен.

Перед началом опытов с транзисторами полезно повторить первые два опыта с диодами. Только на этот раз в них будут участвовать не настоящие диоды, а рп-переходы транзисторов. Батарейка и громкоговоритель или батарейка и лампочка позволяют легко убедиться, что полупроводниковый триод действительно можно рассматривать как два полупроводниковых диода, имеющих одну общую зону - базу (рис. 51).

Цель следующего опыта - доказать, что транзистор усиливает.

Включим абонентский громкоговоритель в коллекторную цепь транзистора в качестве нагрузки и подадим на коллектор напряжение - 9 в (рис. 52). Можно подвести к транзн-

Рис. 42. Выпрямители для питания транзисторной аппаратуры (1-3) и для зарядки автомобильных аккумуляторов (4-5).

BcMl,5B 6K4i5e M

ТгТз П13

4,5 в +

-D (

Сз 5.0x46 Ji

CefOJOS

бсм-1,56

К детектор*

Кдет. 3

Рис. 44. Усилитель для громкоговорителя - микрофона (/) и трехкас-кадиый усилитель высокой частоты для детекторного приемника (2).

Ъпш Тгтш Miff Ч

Рис. 45. Двухдиапазонный приемник прямого усиления по схеме 2-У-2.

Рис 51. Батарейка и лампочка карманного фонаря позволяют на опыте убедиться в том, что транзистор, по сути дела, представляет собой два полупроводниковых диода.

стору И меньшее коллекторное напряжение, например 4,5 в, но при этом эффект усиления будет заметен меньше

Для опыта нужен еще один источник тока - элемент Б, на 1,5 в, с помощью которого мы будем имитировать слабый усиливаемый сигнал. Если присоединить «минус» элемента к базе и периодически прикасаться выводом эмиттера к «плюсу» этого элемента (то есть непрерывно замыкать и размыкать цепь, как мы это делали в опытах с диодами), то в громкого-oft ворителе будут слышны щелчки. Появятся они потому, что элемент Бэ будет периодическ! отпирать транзистор (впрыскивать заряды из эмиттера в базу) и в коллекторной цепи будут появляться импульсы коллекторного тока. Эти импульсы и заставят в итоге колебаться диффузор громкоговорителя.

Если вы хотите убедиться в том, что щелчки в громкоговорителе появляются именно из-за отпирания транзистора, то попробуйте поменять полярность включения Бэ: «плюс» этого элемента соедините с базой, а «минус» - с эмиттером. ГТри такой полярности элемент Бэ будет еще сильнее запирать транзистор: «плюс» на базе не только не притягивает дырки из эмиттера, но наоборот - отталкивает их. Поэтому при