3. Как измеряют парамет]»! резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности методом вольтметра-амперметра?

4. Каковы особенности мостового метода измерений иа постоянном и переменном токе?

5. Как настраивают измерительную схему универсальных мостов в режимах измерения параметров резисторов, конденсаторов и катушек индуктивностей ?

6. Каковы особенности резонаншого метода измерений параметров конденсаторов, катушек индуктивности и колебательных контуров?

7. Каков принцип действия измерителей добротности?

ГЛАВА ШЕСТАЯ

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДИОДОВ, ТРАНЗИСТОРОВ И ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

§ 26. Измерение параметров диодов

Диоды-это полупроводниковые приборы, имеюпдае элек-tpoHHO-дырочный переход (р-п-переход) в виде границы между слоями электронной и дырочной проводимости, созданными в «даной пластине полупроводника. Такой переход обладает вен-Шльнымй свойствами, т.е. оказывает малое сопротивление прямому току и большое-обратному.

При простейшей проверке работоспособности диодов любьпл омметром измеряют прямое и обратное сопротивления, которые у исправных диодов соответственно равны десяткам, ом и сотням-тысячам килоом. Отношение обратного и прямого сопротивлений, характеризующее выпрямительные свойства диодов, называют коэффициентом выпрямления K=R/R„.

Измеряют параметры и снимают характеристику диодов по схеме, показанной на рис. 77. Низковольтное напряжение от О до 1,5 В для измерения прямого тока и высоковольтное от О до 250 В для измерения обратного регулируют потенциометрами R. Для одновременного переключения напряжений и полярности испытьтаемого диода Д служит переключатель J7, а для ограничения то- рис. 77. Измерение параметров и ка в цепи при возможном снятие характеристики диодов

пробое диода-резисторы . Прямой ток измеряют многопредельным миллиамперметром тА, а обратный-микроамперме-трами и l42 соответственно с пределами 100 и 20 мкА. Снимать шунтируюпще перемычки и включать микроамперметры (сначала первый, а затем второй) можно только тогда, когда показания миллиамперметра тА на первом пределе близки к нулю. После- отсчета перемычки включают.

Испытателями диодов и транзисторов, например Л2-23, измеряют обратный ток /обр и прямое падение напряжения U. Схема, показанная на рис. 78, а, получает питание от преобразователя напряжений ПН. В положении переключателя «[/» устанавливают паспортное значение обратного напряжения диода на шкале вольтметра, состоящего из измерителя И и добавочного резистора Яд, затем переводят переключатель в положение «/» и косвенно определяют обратный ток диода Д по падению напряжения на шунтовом резисторе R, к выводам которого подключен измеритель И. Схема, показанная на рис. 78, б, получает питание от внутреннего или внешнего источника тока ИТ. В положении переключателя «/» устанавливают на шкале измерителя И, подключенного параллельно одному из шунтовых резисторов /?ш, паспортное значение прямого тока диода, затем переводят переключатель в положение «[/» и измеряют прямое падение напряжения на диоде Д вольтметром, состоящим из измерителя И и добавочного резистора R.

Стабилитроны-кремниевые диоды, предназначенные для стабилизации постоянного напряжения при значительных изменениях проходящего через них тока. Рабочим является пробойный участок обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона (рис. 79). При наличии внешнего резистора, ограничивающего ток и предотвращающего перегрев, электрический пробой стабилитрона не опасен. Основной параметр стабилитронов-напряжение стабилизации [/„-почти не изменяется при значительном изменении тока стабилизации от /„т™ , при кото-

Рнс. 78. Измерение обратного тока диода (в) и прямого падения напряжения на нем (б)

ром возшкает устойчивый пробой, до /„„„1, ограниченнсш до-пустимым перегревом. Эффективность стабилизации напряжения тем выше, чем меньше динамическое сопротивление стабилитронов Rj,=Al A/.

Напряжения и токн стабилизации измеряют по схеме, показанной на {ша 77. Пря этом стабилитрон включают в обратном направлении и увеличивают обратное напряжение до наступления электртческого пробоя. Нагрузочный резистор R выбранным для данного стабилитрона сопротивлением подключают к входу электронного вольтметра, постоянство показаний которого свидетельствует о работе стабилитрона в режиме стабилизации напряжения.

Вариканы-закртггые диоды, проходная емкость которых изменяется в пределах от до соответственно при из-ыеиетяя запирающего постоянного напряжения от до ipac 80). Эти пртбо]»! П1шменяют для электронной настройки жолебатеяьных контуров. Основным параметром вашкапов является коэффициент перекрытия по емкости КС /Стш -Емкость и добротность варикапов, как и конденсаторов, измеряют резонансвым методсш (см. § 25Х используя схему замещения, которая была показана вЛ рис. 70, а. К зажимам измерителя добротности подключают выводы 1-1 схемы, показанной на ряс 81. Пря этом варикап Д закрыт постоянным напряже-тш, которое регулируют потенциометром R я контролируют элотронным вольтметром V. Цепь постоянного тока отделена двумя разделительными кондшсаторами С1 я С2 емкостью 0,01 мкФ. Номинальную емкость варикапа измеряют при напря-жгаин 4 В, а граничные емкости-при указанных в паспорте на него напряжениях.

Рис. 79. Вольтампервая ха-раггеристика стабилитрона

8-423

Рис. 80. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения