Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) ( 37 ) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (37)


Рис 81. Схема испытания варикапа

Туннельные диоды имеют вольтамперную характеристику (рис. 82, а) с падающим участком, т. е. участком с отрицательным сопротивлением в очень широком диапазоне частот (до тысяч мегагерц). Эти диоды используют для усиления и генерации сигналов и в быстродействующих импульсных схемах. Параметры туннельных диодов оценивают по пиковому току /д, току впадины 1 и соответствующим напряжениям и и,, а также по напряжению раствора U.

Вольтамперную характеристику туннельных диодов снимают только для восходящих ее ветвей (см. рис. 77), так как при снятии характеристики падающего участка схема неустойчива и переходит к одному из устойчивых состояний до точки А или после точки Б (рис. 82, б), т. е. наблюдаются скачки тока и напряжения. Паразитная высокочастотная генерация, вызываемая емкостью туннельного диода и очень малой индуктивностью его корпуса и выводов, а также сравнительно большое внутреннее сопротивление источника тока, превышающее отрицательное сопротивление диода, снижают устойчивость схемы.

В схеме, показанной на рис. 83, о, туннельный диод Д зашун-тирован безындуктцвным резистором в виде насаженного на его корпус керамического диска с полупроводниковым слоем. Диод с резистором для сшижения индуктивности размещают в специальной головке. Статическую характеристику диода строят по результатам измерений, учитывая известное сопротивление резистора Ящ. Более совершенная мостовая схема (рис. 83, б) состоит из резисторов R1, R2, R3, R и включенного в безындук-


и„ Us Up U„p


Рис. 82. Вольтамперные характеристики туннельных диодов:

а-непрерывва!, 6-е перескоком напрхженп



+ 0-*-



Рис. 83. исследование туннельных диодов:

о, б-снятие ирактеристж, в-измеренне параметре»

тивную головку диода Д. Характеристику диода снимают, предварительно уравновесив мост потенциометром R4. При питании от источника переменного напряжения эта схема позволяет получить осциллограмму характертстики, для чего напряжения с точек А-В и А-Б соответственно подают на горизонтальный и вертикальный входы осциллографа.

В некоторых случаях необходима не вся характеристика, а только напряжения и токн в экстремальных ее точках. Для этого собирают схему, показанную на рис. 83, в, и плавно увеличивают ток диода до появления первого скачка напряжения. Предше-сгвующие (жачку напряжение и ток являются пиковыми С/„ и /„. После скачка устанавливается напряжение раствора С/р. При последующем плавном уменьщении тока наблюдают второй, обратный скачок напряжения. Предшествующие этому скачку напряжение и ток являются напряжением и током впадины.

Динисторы-неуправляемые переключающие диоды с двумя выводами имеют показанную на рис. 84, а вольтамперную характеристику, иа которой участок OA соответствует их выключенному (закрытому) состоянию. При повышении напряжения до кл происходит переход динистора во включенное (открытое) состояние, т.е. пробой, сопровождающийся резким снижением напряжения до U,y и увеличением тока. Обратное переключение диода в выключенное состояние происходит при снижении


Рис. 84. Вольтамперная характеристика динистора (а) и вольтампер-ная и пусковая характеристики тринистора (б, в)



приложенного напряжения и уменьшении тока ниже удерживающего /,д.

Тринисторы-управляемые переключаюпще диоды имеют дополнительный вывод от внутреннего управляющето электрода. Это позволяет открывать их не только повышением напряжешь, но и пропусжанием сравнительно небольшого тока опшра-ния управляющего электрода „, от которого зависит напряжение включения и„ (рис 84, б). Важное значение имеет пусковая хараггертстика тртнистора (рис 84, в), показывающая завися-мость напряжения включения от отпирающего тока

Совремганые тиристоры (данисторы и тртнисто!»!) имеют напряжения включения от 10 до 1000 В и более и используются в качестве ключевых элементов в схемах автоматики, регулируемых вьшрямителей, преобразователей постоянного тока и коммутаторов, контакторов и в других случаях для замены устаревших в настоящее время газотронов и тиратронов.

Измерение прямого и обратного тока тиртсторов вьшолняют так же, как других диодов. Показанную на рис 85, а схему используют для измерения напряжения [/„ и удерживающего тока /уд открытого тиристора. Тиристор Д переводят во включенное состояние, нажав кнопку Кн и пропустив управляющий ток, который подбирают, изменяя сопротивление резистора R. Затем, изменяя сопротивление резистора R, устанавливают средний ток тиристора 1 и отсчитывают по вольтметру . Далее уменьшают ток тиристора до появления скачка яапряжепия. Ток, предшествующий осачку напряжения, является удерживающим /уд. Отпирающий ток управляющего электрода / „ и напряжение включения и„ измеряют, используя схему, приведенную на рис 85, б. На анод тиртстора Д через нагрузочный резистор R„ подают постоянное напряжение 10 В и плавно увеличивают потенциометром R ток управляющего элопрода до тех пор, пока не произойдет включение тиртстора, сопровождаемое скачком напряжения на аноде. Ток / „ и напряжение U„,

Риа 85. Измерение параметров тврвсгорс»:

-удгд«м111тго топ влщмжгян» опрнпм coi №!, б-опра




(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) ( 37 ) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68)