щждшествующие включению тиристора, соответственно отсчитывают по миллиампе(ше1ру тА в цепи управляющего электрода и вольтметру V. Эта схема позволяет также снять пусковую характеристику тиристора, для чего следует использовать источник регулируемого анодного напряжения.

§ 27. Измерение параметров бипилмрных транзисторов

Основой биполярных транзисторов являются два р-п-перехо-да, созданные в единой пластине полупроводника.

При простейшей проверке работоспособности транзисторов измеряют омметром прямое и обратное сопротивления эм-митерного и коллекторного переходов, которые должны быть соответственно равны сотням ом и сотням-тысячам килоом Кремниевые маломощные транзисторы могут иметь несколько ббльшие сопротивления переходов, а мощные германиевые-меньшие.

Транзистор можно рассматривать как несимметричный четырехполюсник (рис. 86) с входными выводами 1-1 и выходными 2-2. Посжольку транзисторы имеют один общий вывод для входной и выходной цепей, возможны три схемы их включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). Выходные (коллекторные) цепи транзисторов получают питание от источника постоянного напряжения 9-24 В, полярность включения которого должна быть такой, чтобы коллекторный переход был закрыт. В пшроко применяемой схеме с ОЭ входной цепью является базовая, в которую подают постоянное напряжение 0,1-0,3 В так, чтобы базовый переход был открыт. Транзистортый эффект состоит в том, что сравнительно малый ток в отк1»т)й базовой цепи вызывает появление сравнительно большого тока в закрытой коллекторной. Небольпше изменения базового (управляющего) тока вызывают значительные изменения коллекторного (управляемого).

Вольтамперные характериргики дают полную информацию о свойствах транзисторов как нелинейных элементов в пшроком диапазоне токов и напряжений, позволяют оценить их работу при различных токах и напряжениях во входной и выходной це-

Риа 86. Схема несимметричного четырехполюсника, эквивалентного транзистору

Рис. 87. Характеристики транзистора:

а - входные, 6-выходные

пях, рассчитать основные параметры в любой точке и выбрать оптимальный режим работы.

Статические вольтамперные характеристики транзисторов различны для каждой из трех схем их включения. Для анализа работы и определения параметров транзисторов достаточно иметь два семейства характеристик: входные и выходные.

Входные характеристики транзисторов, показывающие зависимость тока базы 1 от напряжения на ней C/g при различных напряжениях на коллекторе Ut, показаны на рис. 87, а. При [/к = О входная характеристика соответствует прямой характеристике открытого диода (см. рис. 29Х а при 1/ = - 5 В и 1/ = - 10 В характеристики незначительно сдвинуты вправо.

Коходные характеристики транзисторов, показывающие зависимость тока коллектора от напряжения на нем при различных токах базы /б, показаны на рис. 87, б. При /б = О выходная характеристика соответствует обратной характеристике закрьп-ого диода (см. рис. 29). Появление и возрастание базового тока вызывает появление и увеличение коллекторного тока, который весьма мало изменяется при значительном изменении коллекторного напряжения.

При снятии характеристак транзисторов р-и-р-типа, включенных по схеме с ОЭ (рис. 88), базовый переход открыт отрицательным напряжением, регулируемым потенциометром R1 от О до 0,3 В и поступающим от делителя RR1, получающего питание от одного химического элемента напряжением 1,5 В. Базовые ток /б и напряжение Uq измеряют соответственно микроамперметром ь4 и электронным вольтметром VI. Коллекторный переход закрьп- отрицательным напряжением, регулируемым потенциометром Я2 от О до 24 В. Коллекторные ток и напряжение измеряют соответственно миллиамперметром тЛ и вольтметром V2.

Рис. 88. Схема снятия характеристик транзистора

Статические характеристики не всегда удобны для анализа работы транзисторов, поэтому используют статические параметры.

Такие статические параметры транзисторов, как неуправляемые очень малые обратные токи переходов коллектор-база /жбо, эмиттер-база /эбо и коллектор-эмиттер при коротко-замкнутых выводах эмиттера и базы /k, измеряют по схемам, показанным на рис. 89, а-в. Значения этих токов отсчитывают по микроамперметру \iA при определенньк, указанных в справочнике обратных напряжениях, установленных с помощью потенциометра R по вольтметру V. Качество транзистора тем вы-Die, чем эти токи ниже и меньше их зависимость от текшературы. При измерении очень малых обратных токов кремниевых транзисторов чувствительность микроамперметра цА может оказаться недостаточной и вместо него прим&шаот электронный вольтметр постоянного тока, измеряюпщй падение напряжения на включенном в цепь образцовом резисторе, имеющем сопротивление 0,1-1 МОм

Параметры, характеризующие работу транзисторов как линейного активного четырехполюсника, можно определить графическим способом, по приращениям напряжений и токов, а также измершием на переменном токе при малом сигнале. Такими параметрами транзисторов являются входное сопроти-

+ 0-

Рис. 89. Измерение обратных токов коллекторного (а) и эмиттерного (6) переходов и перехода коллектор-эмиттер (в) транзисторов