Таблвца 7. Схемы вклочеан, шмициюсп н вольтамперяые характеристики полевых траазаегоров разных структур

Схемы вжлючеяия и вольтамперные харапераствжн Канал траишсторов

с переходом затвор-ганая

с изолированным затвором и каналом

встроенным

индуцированным

р-типа

п-типа

.J .-<.Ж11

01Пии,и, -1>с "сит

ю-

1с\ -ISB-

от» «,4, -"с Чета H<i -Uc Vomc -U, U -Uc Ucmc

„-of -7,?-: ui

Ю I +0-1-O-* -o--I-o-

-b "> 0,tXlM Ucmc Uc -"Л "j UcHoc Uc

U, Ucmc

В транзисторах с встроенным каналом при С/, = О (выводы затвора и истока замкнуты) в стоковой цепи проходит начальный ток стока /си, который убывает или возрастает в зависимости от типа канала при увеличении напряжшия одной или другой полярности. Напряжение отсечки [/q определяют при снижении тока стока /с до 0,1% /си-

В транзисторах с индуцированным каналом ток стока / возникает и возрастает выше 10 мкА прн появлении и увеличении напряжения на затворе выше определенного порогового значения t/nop- X"

СХяовным параметром полевых транзисторов, определяющим их усилительные свойства, является крутизна S переходной характеристики, которую находят как отношение изменения тока стока А/с к вызвавшему его изменению напряжения на затворе Al/,, т. е. S = AIJAU. Так, крутизна 5 = 2 мА/В показывает, что изменение напряжения затвора на 1 В вызывает изменение тока стока на 2мА.

Выходные, или стоковые, характеристики показывают зависимость тока стока /с от напряжения Uc на нем при разных напряжениях затвора li,. Быстрое нарастание тока /с при малом напряжении Uc и медленное при его увеличении выше напряження васьпцения 17с. нас вызывает резкий изгиб характеристики, определяющий переход между сравнительно малым и большим динамическими сопротивлениями канала исток-сток. Следует обратить внимание на различный характер сдвига стоковых характеристик в зависимости от напряжений на затворе транзисторов различных структур.

Примерные значения таких основных параметров, как максимальный /м или начальный /си токи стока транзисторов с встроенным каналом и крутизна S, могут быть измерены миллиамперметром или вольтметром по схемам, показанным на рис 94, а, 6. В схеме, показанной на рис. 94, а, при двух крайних положениях движка переменного резистора К по миллиамперметру тА отсчитывают токи /„ и /,; и рассчитывают крутизну S = (/M-/c)/t/, = (/M-WcK), где 17,= = /сК-запирающее напряжение затвора. В схеме, показанной на рис 94, б, те же токи определяют косвенно, измеряя вольтметром Кнапряження [7м и [7, и рассчитывая /„ = UtJR и /с = = [7з/К (где [7м и [7з-напряження на резисторе R при двух крайних положениях движка). Крутизна S = = (UJR - UJRyu = ([7м - [7з)/([7зК). Сравнительно малое сопротивление резистора R (порядка 200-50 Ом и меньше) заметного влияния на ток схемы не оказывает.

Полное измерение параметров и снятие характеристик полевых транзисторов выполняют по той же схеме, что и биполярных (см. рис 88), из которой исключают резистор R, повышая, кроме того, входное напряжение до 10-15 В. Особенно внимательным следует быть при подключении источников тока, полярность которых определена структурой транзистора и каналом.

Полевые транзисторы легко повреждаются даже при не очень сильных электрических полях, поэтому нее подготовительные работы следует выполнять на зазе- Рис. 94. Измерение макси-мленном металлическом листе, на мального тока и крутизны котором должны располагатыя полевых транзисгоров:

„ „ а-мшшиамперметром, 6-вольтме-

инструмент и оборудование. Паи- тром

ку выводов полевых транзисторов производят нагретым и от-ключенным от сети паяльником низкотемпературными припоями кратковременно.

Собственные входную Сц = С, проходную = Cjc и выходную С22 = Сне омкости полевых транзисторов с индуцированным каналом измеряют так же, как шкость ва1шкапов, подключая соответствующие выводы к зажимам а-а схемы, показанной на рис 81 в такой полярности, чтобы переходы были закрыты. Более строгое и точное измерение этих емкостей выполняют при специальных испытаниях на высокой частоте, одновременно измеряя коэффициент шума Fq, и граничную частоту ушлеиия /тр, примерное значение которой можно вычислить из соотношения /.рЖ1б05/Сц (где /.р-частота, МГц; S-крутизна, мА/В; С-емкосгь, пФ). Транзисторы с изолированным затвором имеют наименьшие собственные емкости и наилучшие частотные свойства.

§ 29. Испытание электронных ламп

Простейшую проверку работооюсобностн электронных ламп, а также и кинескопов вьшолняют любым пробником или омметром, контролируя отсутствие обртва нити нахала, концы которой выведены на третий-четвертый и четвертый-пятый штырьки семи- и девятиштырьковых цоколе ламп и первый-восьмой штырьки цоколя кинескопа, замыканий между нитью накала, катодом и другими электродами.

В работающей аппаратуре отсутствие накала нити и катода определяют визуально и по температуре баллона. Пра исправной нити отсутствие накала может быть вызвано тем, что нахальное напряжение = 6,3 В не поступает на лепестки ламповой панели и птгырьки лампы или нарушш контакт между ними. Пра нарушении вакуума на стеклянном баллоне лампы появляется налет молочного оттенка.

Эмиссионную способность но1Я1ально нагретого катода пра С/н = 63 В npoBq)flK>T по схеме, показанной на рис 95, о, состоящей из последовательно включенных участка катод-анод с соединенными с ним сетками, миллиамперметра тА и источника постоянного напряжшия 20-50 В, плюс которого соединен с анодом, а минус-с катодом. В работающей аппаратуре эмисоюнный ток /э проверяют, измеряя вольтметром V постоянное напряжение на резисторе К, в катодной цепи лампы (рис. 95,6). Сравнить эмиссионный ток нескольких однотипных ламп можно при поочередной их установке в одну панель. Эмисоюнный ток = UfJRi.

Эмисси(шную способность телевизионной приемной труб-