оконечной ступени Уьэ = Убб f Убк Ь/кб г/кк = 41,296 i j0,23, у-,к ~-(Убк

-0,096 + jO,08, 1/кэ =-(1/кб+ г/кк) =-40,1-j 1,15, (/„ = g,;-I-.Укк -= 0,I5-bjO,l (все проводимости в миллисименсах), при заданной нагрузке по программе 232 получим Киз = 131,08 + j92,56, (/вхз = 21,30752 + j8,3064 мСм.

По проводимостям оконечной ступени (/н = 82 + .Убб - ,4 f j0,2 мСм, у = г/бк =-0,004 + jO,02 мСм, 1/21 = г/кб = 40 -]0,05 мСм; 1/22(/,<к = 0,1 jO.l после выполнения программы 232 получим Ка = КпКцз -227,2339 - j 193,74784. Кг-2 = -1,8532187 -jO, 1694684, i/bx2 = 1,4108023 + j0,1636135 мСм.

Вычислив проводимости первой ступени (/ц = gi h г/эб - 1,205 + jO.2 мСм, Уи Убэ = -((/бб -г Убк) = - 1,196 - jO, 18 мСм, 1/. 1/эб -((/бб 1 Укб) =-41,2 + jO, 195, 1/22 = Я2 +2/33 = 41,796 + jO,23 мСм, по программе 232 no.iy-чим Кс = A:(;iA:[,-2/<l-3 =-214,0951 -j 187,72489, Ai = 0,06706961 j0,01259607, Увх = Увх1 = 0,9534333 + ]0,013198945 мСм.

Анализ цепи в области верхних частот удобно выполнять, когда и.звестны параметры схем замещения активных компонентов с частотно-независимыми параметрами. Параметры схемы замещения биполярного транзистора, показанной на рис. 38, г, практически не зависят от частоты в диапазоне, ограниченном сверху частотой (Иа= (\+r6g:.i)lr6C:,. Приводимые в справочниках значения парамет ров подобных схем замещения обычно соответствуют определенному режиму питания. Поэтому при переходе к характеристическим проводимостям ytj эквивалентного проходного четырехполюсника приходится учитывать зависимость этих параметров от частоты, режима питания и температуры.

От температуры в наибольшей степени зависит малосигнальная проводимость §я«А/.. = у/„ схемы замещения, показанной на рис. ,38, г, а также па()а метры Ca-xga н в меньшей степени и С,,.

Распределенное сопротивление области базы Лб мало зависит от изменений температуры. Зная параметры g.,, С„ и g для заданного режима т:тм:и!1. по значениям постоянных токов /я и /к можно определить коэффициенты у, т i Л. а затем оценить зависимость малоснгнальных проводимостей транзистора от режима питания.

Частотные характеристики эквивалентного транзистору, описанному схемой замещения на рис. 38, г, проходного четырехполюсника удобно оценивать )0 по низкочастотным значениям ,бк(0) = Як/(1 + ("6(3 + Як)), §зк(0) = ейк(О) Ль-

к = 1/gK, v = и о = /б,?,/(1 -f /-egg)-

Программа 233. Вычисление (/-параметров биполярного транзистора .. о("3-ти высших частот по параметрам «физической» схемы замещения

Инструкция. (Y = РО, Лб = PI, т = Р2, р = РЗ, Q = Р4, §бк(0) = =Р5, /к = Р6) f = РХ В/О С/П {tx\0 с) РХ = Re(/u, PY = Imy С/П (/«7 с) PX = Rei/,2, PY = !m(/i2 С/П (/w5 c)PX = Rei/2i, PY = Imi/ai С/П (/=«5 c) PX = Rty,,, PY = \my,,.

Пример. Для Лб == 50 Ом, f, = 50, §бк(0) = Ю" См, Q = 5-10 "Ф, Сэ = = 10-10-"2ф, g3 = 5-10-* См, /к=ЫО~" А, определив у = §э к = 0,5, т = = Сэ/э = 2-10"~*, при /к = 5-10~ А и / =10 МГц получим: i/n = 2,5621813X XlO- +j2,4347787-10-3; у = -4,4006968-10~ - j3,0801472.10""; yi = = 1,0898636-10- -jl,5217367-10-; i/.., = 5,4780677-Ю- + ]3,4239077 -10- (для схемы включения транзистора с общим эмиттером).

Параметры транзистора для других схем включения несложно определить по полученным результатам с помощью неопределенной матрицы проводимостей транзистора, построенной с помощью программы 216 или непосредственно.

Несколько проще анализ усилителей в области верхних частот прн использовании электронных ламп илн полевых транзисторов, описываемых простыми «физическими» схемами замещения, параметры которых непосредственно связаны с характеристическими проводимостями эквивалентного проходного четырехполюсника. Зависимость параметров S и g, полевых транзисторов несложно определить с помощью программ, подобных программе 218, а для электронных ламп - по программам, обеспечивающим вычисление производных в заданной точке статических характеристик электронной лампы при их аналитическом выражении согласно закону «трех вторых».

Следовательно, ступень широкополосного усиления на полевом транзисторе моделируется матрицей проводимостей

в которой от частоты обычно зависит лишь проводимость нагрузки (/н = §н+ +j(oC„, которой для ступеней предварительного усиления является входная проводимость следующей ступени. По этой матрице несложно найти выражения для коэффициента передачи напряжения КиЦш) и входной проводимости .(/вх( w) анализируемой ступени, вычисления которых обеспечивает следующая программа.

Программа 234. Анализ усилителя на полевом транзисторе в области верхних частот

л X 2 X П9 х2 ИП2 х2 X ИП1 х2 + ПД ИП2 ИПО X ИП1 ИП5 х f ИП9 X ИПД 4- ПВ ИП9 х ИП5 X ИП2 X ИПО ИП1 X - ИПД ПА ИП4 X

ИП7 + ИП9 ИП5 X ИПВ X - ПС ИПЗ ИПА ИП5 X + ИП9 X ИП4 ИПВ х --ПД ИПА х2 ИПВ х2 V С/П БП 00

Инструкция. (gii = P7, Cii = P8, gi2 = Р4, С,.,.Р5, g„ -g.22 = Pl. С„ + = Р2, g,i = РО) / = РХ (В/О) С/П РХ = /Cl(m), РА = Re Ки{(>), РВ-= 1тК[Ач>), PC = Rei/Bx(w), РД = ImBx(w), Р9 = о) (проводимости в миллисн-менсах, емкости в нанофарадах, частота в мегагерцах); tx20 с.

Рис. 47

В отличие от программы 233 эта программа удобна для построения час тотных характеристик при частотно-независимых параметрах. Практически чаще всего приходится учитывать частотные зависимости уъ и иногда некоторых дру гих параметров (например, (/21). При анализе усилителей на лампах или полевых транзисторов с различными схемами включения активных компонентов возника ет необходимость в их определении (непосредственно или с помощью программы 216) по неопределенной матрице проводимостей электронной лампы

0 0 О

-S S + g, gi

s -(s+gi) gi

Сск + Са Сек "~ tea

Сек Сак + Сги - Сак

Сак Сп

Для полевых или МДП-транзисторов индексы сетки, анода и катода для па раметров матрицы достаточно заменить соответственно индексами затвора, стока и истока.

В качестве примера рассмотрим каскодиый усилитель на электронных лампах (рнс, 47, а) с одинаковыми параметрами S=8 мСм, g( = 0,05 мСм, Спв = = 10 пФ, Сса = 5 пФ, Сак=8 пФ при проводимостн нагрузки усилителя .(/н(ш) = = (0,1+]О)0,02) мСм.

По эквивалентной схеме усилителя для верхних частот (рнс. 47, б) и неопределенной матрице проводимостей лампы находим характеристические проводимости оконечной ступени gu = &кк = S г gi 8,05 мСм, Сц = j- Сек = = 0,018 нФ, = = -gi = -0,05 мСм, Ci 2 = Сак = 0,008 нФ, gi = &ак = = -(S + gi) = -8,05 мСм, g22 - gH = gaa + Й2 + Sh = gi 82 "Г g« = 0,35 mCm, C22 + Ch = Cas-f Сак-i-Ch = 0,033 нФ. С помошью программы 234 на частотах / = 0; 0,5; 1 МГц получим Kl-2I=23; 22,053; 19,789; Ка = 23 + ]0; 21,164 - - j6,1972; 17,088 -j9,9795, Увхг = 6,9 + jO; 7,1475 + j0,89833 : 7,6972 -f j 1,4710, откуда Свх2 = lmi,Bx2/w = 0; 0,28595; 0,234118 нФ.

По параметрам первой ступени ц = =0,02 мСм, = Са-f Сек-

= 0,015 нФ, = О, Ci2 = Сса = 0,005 нФ, gaa + Ян = gi + 82 + Rei/exa, C + -j- С„ = + Сак + Свх2 с ПОМОЩЬЮ программы 234 находим на тех же часто-