(5.17)

3. Рассеяние между первичной и вторичной обмотками определяет не только ход частотной характеристики в области высших частот модуляции, но также величину нелинейных искажений, возникающих из-за переходных процессов в трансформаторе при работе ламп с отсечкой.

Чем меньше Lb, тем меньше нелинейные искажения и тем лучшая частотная характеристика может быть получена в области высших частот

При заданном допустимом % коэффициенте нелинейности Kf jg можно найти допустимое Lg, пользуясь кривой Писаревско-го{5.1] (рис. 5 7) По этой кривой сначала определяют параметр

2 (0,5/?;+ 0,25;?;)

затем

?;+0.5J?;

(5.18)

Рис 5 7 Кривая Писаревского для ол-ределения коэффициента нелинейных искажений модулятора

S2 •

Lsi - индуктивность рассеяния первичной обмотки модуляционного трансформатора; Ls2 - индуктивность рассеяния вторичной обмотки, приведенная к первичной; Q - частота модуляции, для которой нормируется Kf; R\ - внутреннее сопротивление ламп одного плеча; R - сопротивление нагрузки модулятора, приведенное к первичной обмотке модуляционного трансформатора.

Из этой формулы видно, что для получения малых нелинейных искажений целесообразно применить в качестве модуляторных лампы с большим Я,, т. е. генераторные лампы. Это еще одна из причин применения в модуляторе ламп того же типа, что в модулируемом каскаде.

Выбор малого Ls при заданном Li ограничен конструктивными возможностями. Известно, что у лучших модуляционных трансформаторов Ls составляет не менее 0,25-0,3% от L\.

Поэтому, если окажется, что необходимое Ls<0,0025Li, то следует снизить Li, а получающиеся вследствие этого частотные искажения на низших частотах скомпенсировать отрицательной об-

ратной связью или частотной коррекцией в одном из предыдущих каскадов.

Если нагрузка модулятора содержит индуктивную составляющую, например приведенная индуктивность блокировочного дрос селя генератора LlnP- соизмерима с Ls, то ее необходимо учесть. В этом случае должно выполняться условие

(5.19)

Емкость разделительного конденсатора Сб.м (рис. 5.4а и рис. 5.5) выбирается так, чтобы

Например, если

Сб.„>--, . (5.20)

то частотными искажениями, вносимыми Сб.м, можно пренебречь.

После того как выбраны основные параметры схемы L\, Lb, /-др, бм и другие, можно рассчитать частотную характеристику модулятора. Однако этот расчет завщсит от конкретной схемы и от последующего ее преобразования в эквивалентные схемы соответственно для низших, средних и высших частот. Рассмотрим з качестве примера двухтактный генератор с параллельным питанием (см. рис. 5.4а).

Как известно, модулируемый каскад (генератор ВЧ) создает нагрузку для модулятора

i?r = fa.W/a.T. - (5.21)

При модуляции это сопротивление комплексно [5.1, с. 132], но будем считать приближенно, что оно активно, постоянно и равно Rt-

Тогда можно составить для модулятора эквивалентную схему, представленную на рис. 5.8, где активным сопротивлением обмоток Рб21 и Рб22 модуляционного трансформаторз обычно пренебрегаем ввиду его малости по • сравнению с 4i?j. Здесь на-

[f [jj "" • пряжение, действующее на

л-Сп Ir вторичной обмотке, и внут-реннее ее сопротивление приведены к первичной обмотке модуляционного тран-Ряс. 5.8. Эививалеятная схема модулятора сформатора; Ls - индуктивность рассеяния, Стр - распределенная емкость обмоток трансформатора; остальные параметры ясны из рис. 5.4d.

Схему ри(с. 5.8 удОбно расюмотреть с точки зрения частопных свойств, приводя ее к четырехполюснику рис. 5.9, для которого коэффициент усиления

2р.Щ

Рис 5 9. Приведенная эквивалентная схема модулятора

Рис. 6 10. Эквивалентная схема модулятора для средних частот

....... -. (5.22)

(I+Z3/Z4) [1-f Zi/Z,-f Zi/(Z3 + Z4)] i/i Л-fiB

Соответственно для средних, низких и вькших частот модуляции эквивалентная схема рнс. 5.8 может быть цреобразована в схемы рис. 5.10, 5.11 и 5.12.

Рис. 5 11. Эквивалентная схема мо- Рис 5 112 Эквивалентная схема модуля-дулятора для низших частот тора для высших частот

Для средних частот (200<Р<2000 Гц) можно положить:

QLi==oo; Q(Is + V2) = 0; -i-= 0; = 00;

= оо

Q 4С; = оо; поэтому получим: Z, = 4Р, + 2/?ог 1 + «»г2/2 = Zj = 00; Z3 = 0; 24 = /?;.

Соответственно из рис. 5.10, пользуясь (5.22), имеем

(5.23)

Для низших частот (30<;Р<;200 Гц) влиянием индуктивности модуляционного трансформатора я дросселя пренебречь нельзя. Поэтому схема рис. 5.8 заменяется эквивалентной схемой рис. 5.11, где сопротивление Р022/2 с целью упрощения расчета перенесено в первичную обмотку модуляционного трансформатора. Такое из-