6.7. Радвопередающве устройства. Под ред. Г. А. Зейтленка. М., «Связь», 1969. 542 с.

6.8. Верзунов М. В., Лобанов И. В., Семенов А. М. Однополосная модуляция.

М., Связьиздат, 1962. 299 с.

6.9. Верзунов М. В. Однополосная модуляция в радиосвязи. М., Военное издательство МО СССР, 1972. 296 с.

6.10. Верзунов М. В. и др. Проектирование радиопередающих устройств. Л., «Энергия», 1967. 375 с.

6.11. Розов В. М., Кузьмин В. Ф. Однополосные коротковолновые радиопередатчики. Учеб. пособие. Ч. I и II. М, МЭИС, 1970. 159 с.

6.12. Рараев В. А. Однополоспые радиопередатчики. Пособие по курсовому проектированию. М., ВЗЭИС, 1970. 108 с.

6.13. Пахлавяи А. Н. Радиопередающие устройства. Гл. 17. М., «Связь», 1967. 567 с.

6.14. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Под ред. Р. А. Валитова и И. А. Попова. Гл. 7. М., «Советское радио», 1973. 462 с.

6.15. Власов В. А. Описание лабораторной работы № 31 «Изучение возбудителя ВО-71». М., МЭИС, 1973.

6.16. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Под ред. Р. А. Валитова и И. А. Попова. Гл. 7. М., «Советское радио», 1973. 462 с.

6.17. Евтянов С. И. Радиопередающие устройства. М, Связьиздат, 1950. 643 с.

6.18. Дальняя связь. Под ред. А. М. Зингиренко. М., «Связь», 1970. 408 с.

6.19. Босый Н. Д. Электрические фильтры. УССР, ГИТТЛ, 1964. 320 с.

6.20. Моле Д. X. Расчет электрических фильтров для аппаратуры связи. М., Госэнергоиздат, 1963. 331 с.

6.21. Нюренберг В. А., Млодзеевская И. А. Автоматические регуляторы уровня вещательных передач. М, Связьиздат, 1963. 55 с.

6 22. Есаков В. Ф., Кудрин И. Г., Шполь М. М. Автоматическая регулировка

усиления в усилителях НЧ. М, «Энергия», 1970. 80 с. 6.23. Розов В. М., Тараненко А. Д., Ермистов В. В. Измерения и контроль в

одиополосиом радиооборудовании. М., «Связь», 1974. 208 с.

Глава 7 ♦

ПРОЕКТИРОВАНИЕ ОКОНЕЧНЫХ КАСКАДОВ ТРАНЗИСТОРНЫХ ПЕРЕДАТЧИКОВ

7.1. Введение

Создание мощных высокочастотных транзисторов, генерирующих мощности десятки ватт на частотах до 100-1000 МГц, открыло возможности для замены ламп транзисторами в большинстве каскадов радиопередающих устройств самых различных назначений. При этом происходят улучшение ряда важнейших показателей передатчика и, прежде всего, увеличение его надежности, коэффициента полезного действия и уменьшение габаритов. Хотя преимущества транзисторов перед лампами в радиопередатчиках не столь бесспорны, как в радиоприемных или счетно-решающих устройствах, практика конструирования и производства передатчиков в последние годы подтверждает целесообразность внедрения транзисторов н в эту область радиотехники. В настоящее время отечественная и зарубежная промышленность выпускает большое число передатчиков, в которых все маломощные каскады - транзисторные, а также некоторые полностью тран-зисторизованные передатчики, в том числе передатчики значительных мощностей (10 кВт в диапазоне декаметровых волн).

Создание теории и методов расчета транзисторных генераторов далеко не завершено. Подавляющее большинство наиболее полных и известных работ развивается на основе выявления аналогии в свойствах транзистора и лампы. Здесь принимается, что транзистор аналогично лампе находится под воздействием напряжений гармонической формы, причем вся специфика транзистора сводится к учету его инерционности. В результате обсуждаются схемы, режимы и методы расчета, широко известные из теории ламповых генераторов. Однако можно указать по меньшей мере два фундаментальных обстоятельства, требующих иного подхода к конструираванию схем и методам их расчета.

Во-первых, входное сопротивление современных генераторных транзисторов очень мало (единицы ом) и оказывается меньшим, чем выходное сопротивление источника возбуждения. При этом нелинейный характер входного сопротивления вызывает существенные искажения в форме возбуждающего напряжения. Соотношения между сопротивлениями источника и входом транзистора таковы, что правильнее идеализировать возбуждение на входе транзистора в виде гармонического тока, а не напряжения.

Во-вторых, низкое питающее напряжение при большой мощности определяет малое сопротивление нагрузки в коллекторной цепи (единицы или десятки ом). По этой причине действие паразитных емкостей, шунтирующих нагрузку, в транзисторах существенно меньше, чем в лампах, что позволяет в широком диапазоне частот использовать нерезонансные схемы с апериодической ил i резистивной нагрузкой.

Апериодическая и резистивная нагрузки позволяют строить генераторы, в которых транзисторы работают в режимах с негармоническими формами напряжений. Среди этих режимов особенно интересен ключевой режим, где работа транзистора подобна работе ключа Такой режим отличается высокими КПД и надежностью.

Нерезонансная нагрузка позволяет также реализовать работу генератора в широком диапазоне частот без применения перестраиваемых контуров, что значительно улучшает надежность, экономические и конструктивные характеристики передатчика в целом.

В настоящей гла(ве учитываются обе такие особенности транзисторного генератора. С этой точки зрения материал главы является дальнейшим развитием принципов проектирования и расчетов, сформулированных в [7.1]. В настоящей главе рассматриваются только оконечные и промежуточные каскады передатчика, выполненные на биполярных транзисторах. После краткого обсуждения особенностей мощных генераторных транзисторов и классификации схем и режимов, в которых они работают, излагаются основы проектирования и расчета каскадов сначала в недонапряженном и критическом режимах, затем в ключевом и перенапряженном режимах. Изложение проводится раздельно для каскадов с широким диапазоном частот и для узкодиапазонных каскадов. Каскадом с узким диапазоном частот считается такой,, который может работать в диапазоне частот до октавы (перекрытие по частоте в два раза) без подстройки или смены его элементов

Вопросы выбора транзисторов и проектирования структурной схемы выходных каскадов передатчика в целом отнесены в коней главы. Такое изменение традиционного порядка изложения материалов по проектированию связано с необходимостью предварительного обсуждения ряда новых вопросов, возникающих при применении различных схем и режимов в транзисторных каскадах.

7.2. Генераторный транзистор и его параметры

Генераторные транзисторы конструктивно отличаются от транзисторов других назначений большой площадью переходов и имеют многоячеечную структуру эмиттерного перехода. Дифференциальное сопротивление открытых переходов таких транзисторов очень мало, поэтому их статические характеристики опреде