Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) ( 54 ) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141) (54)

ляются главным образом сопротивлением материала базы Гб, коллектора Гк и эмиттера Ra, а также коэффициентом усиления по току Ро (в схеме с ОЭ) или ао (в схеме с ОБ) На высоких частотах свойства транзистора определяются также емкостями переходов, индуктивностями выводов и предельными частотами, /т - предельная частота усиления тока в схеме с ОЭ, fa - граничная частота усиления тока в схеме с ОБ Малое значение сопротивления открытых эмиттерного и коллекторного переходов позволяет при расчетах режима транзистора использовать полигональную аппроксимацию его свойств в каждом состоянии (состояние отсечки, активное состояние, состояние насыщения или инверсное состояние) свойства транзисторов могут быть представлены линейными эквивалентлыми схемами, в частности, на низких частотах - линеаризованными статическими характеристиками. Нелинейные свойства транзистора проявляются при переходе из одного состояния в другое при некоторых напряжениях на эмиттер-ном и коллекторном переходах Е.

Необходимые сведения о современных генераторных транзисторах представлены в табл. 7.1. Здесь указаны марка транзистора, тип проводимости (р-п-р или п-р-п).

В разделе «Параметры идеализированных статических характеристик» приведены сопротивление насыщения Гнас для некоторых транзисторов НЧ и ВЧ; напряжение отсечки Е, статический коэффициент усиления по току ро в схеме с ОЭ

В разделе «Высокочастотные параметры» приведены значения: сопротивление материалов базы Гб и эмиттера R\ предельная частота /т; емкость активной и пассивной частей закрытого коллекторного перехода Ска, Ска при напряжении /кб~/кбвом и емкость закрытого эмиттерного перехода Сэ при напряжении 1/эб~0, индуктивности выводов эмиттера, базы, коллектора 1э, Ы, Lk-Для расчета генераторов по схеме с ОБ необходимы значения статического коэффициента усиления по току ао и граничной частоты усиления тока . Приближенно можно принять ао = 0,9-г-0,95 л 1=1,2[т для сплавных транзисторов, = (l,6-l,8)/т для дифф>-зионных транзисторов В табл 7 1 приведены диффузионные транзисторы.

В разделе «Предельно допустимые величины» приведены предельно допустимые значения напряжения на коллекторе С/кбдоп в схеме с ОБ и t/кэдоп в схеме с ОЭ. Приведены также: предельно допустимое обратное напряжение на эмиттериом переходе f/бэдоп, предельно допустимый ток коллектора /кдоп и предельно допустимая температура переходов транзистора Гпдоп-

В разделе «Тепловые параметры» даются значения тепловых Сопротивлений; Run ~ переход-корпус а Rnc - переход-среда (без дополнительного теплоотвода).

В разделе «Некоторые типовые экспериментальные данные» приведены характеристики данного транзистора, обычно указанные их разработчиками. Эти данные приводятся для условий, близких к предельно допустимым по какому-либо из параметров,



ГЕНЕРАТОРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Таблица 7.1

Тип полупро-

Проводи-

Предельно допустимые величины

Тепловые сопротивления

Некоторые типовые экспериментальные данные прн среды=20°С

водникового прибора

мость

кэ доп

к Доп

л Цоп

«пс°С/Вт без радиатора

«ПК °С/Вт

р[. Вт

<

<. В

режим

КТ306А

п-р-п

15-20

10-12

0,05

100,0

КТ603

п-р-п

15-30

15-30

0,5 0,6

55 65

КТ606

п-р-п

44,0

100 400

КТ610

п-р-п

Ко ДОП<

<0,3

65,0

>4

12,6

ГТ702

р-п-р

0,05

1 60

30 1

КТ802

п-р-п

КТ803А

п-р-п

100 30

90 65

ключевой

КТ805

п-р-п

КТ903А

п-р-п

3,33

30 50

20 15

60 40

30 35

КТ904А

п-р-п

16,0

100 400

3-3,5

3-3,5

65 >40

28 28

ключевой

КТ907А

п-р-п

150 400

13,5 9

«5,0 «2,5

65 40

28 28

КТ909А

п-р-п



Тип полупроводникового прибора

проводимость

Параметры идеализированных статических характеристик

Высокочастотные параметра

Tg, «3, Ом

б- к- «Г

КТ306А

п-р-п

20-80

>600

Гб=15

КТ603

п-р-п

20-180

С„<15

КТ606

п-р-п

>350

КТ610

п-р-п

80-100

700-1400

С„«4

ГТ702

р-п-р

0,025

0,25

1 500

1000

КТ802

п-р-п

15-75

10-45

/6=1,5

1000

КТ803А

п-р-п

10-50

>20

С„>300

3300

КТ805

п-р-п

>15

20 1

КТ903А

п-р-п

15-80

Гб=1н-2

1400

1э=10-15 L6=10-i-15

КТ904А

п-р-п

НЧ 3,5 ВЧ 10

>10

Гб=5

Ьэ=2.5 6=2,5 L„=2,5

КТ907А

п-р-п

НЧ 1.7 ВЧ 5

>350

Гб=1--2,5 ;?,=0.4

1з=0,8 1б=2,5 i„=2,5

КТ909А

п-р-п

НЧ 1,25 ВЧ 3,0

>10

Гб = 1

/?,=0.04

L,=0,45

Ьб=1,7

L„=2



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) ( 54 ) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141)