Продолжение

П родолжение

ограничивающих мощность так, чтобы можно было гарантировать достаточную надежность работы транзистора. Здесь указываются мощность PlvPn, которую можно снять с данного транзистора при коллекторном напряжении в схеме генератора с внешним возбуждением без нейтрализации при работе транзистора в классе С в режиме, близком к критическому, и коэффициент усиления по мощности Кр. Для некоторых транзисторов приводятся также данные при работе в ключевом режиме и в режиме линейного усиления (в недонапряженном режиме). Как правило, экспериментальные характеристики снимались на достаточно высокой частоте /, где коэффициент усиления по мощности еще удовлетворителен (/Ср>3). Таким образом, этот раздел таблицы является исходным для выбора типа транзистора, так как превышение мощности свыше Рц приводит к снижению надежности, а увеличение частоты свыше / приводит к низкому усилению по мощности.

7.3. Классификация транзисторных генераторов

Классификацию транзисторных генераторов можно провести по двум показателям: по режиму работы транзистора и по видам нагрузки.

При классификации режимов работы транзистора можно пренебречь его инерционностью и воспользоваться его статическими < характеристиками. Для примера на рис. 7.1а показаны выходные Jk(Wk) статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером при постоянном токе базы le- Все дальнейшие характеристики и формулы приводятся для транзисторов типа п-р-п.

Для уменьшения рассеиваемой мощности Ррасс в транзисторе, повышения КПД коллекторной цепи г\ и колебательной мощности Pi режим транзистора выбирается таким образом, чтобы коллекторный ток проходил импульсами (работа с отсечкой тока). При такой работе часть периода ВЧ колебаний эмиттерный переход закрыт; транзистор находится в состоянии отсечки тока. В другую часть периода ВЧ колебаний при открытом эмиттерном переходе транзистор может находиться в активном состоянии или в состоянии насыщения. По этому признаку выделяют два крайних режима работы транзистора [7.1, 7.2]. Недонапряженный режим-транзистор попеременно находится в состоянии отсечки тока и в активном состоянии. Ключевой режим - транзистор попеременно находится в состоянии отсечки тока и насыщения. Промежуточное положение занимает перенапряженный режим, при котором транзистор находится как в состоянии отсечки тока, так и в активном состоянии и в состоянии насыщения. Граничным между недонапряженным и перенапряженным режимами является критический режим, когда в некоторый момент времени транзистор находится на границе между активным состоянием и состоянием насыщения.