ния уровня нечетных гармоник в нагрузке углы отсечки токов в обоих транзисторах выбираются равными 90° (класс В).

В последующие формулы входят ао(в); ai(6); уо(в); у: (9) - коэффициенты разложения косинусоидальных импульсов, значения которых приведены в [1.1]. Кроме того, в эти формулы входит ряд параметров транзисторов (Гнас, t/к.доп, Е, /кдоп, Ска, Си, Сд, Ро, ао, /т, fa), которые обсуждаются в § 7.2 и приведены в табл. 7.1.

Порядок расчета генератора излагается в предпосылке его работы на резистивную или на настроенную резонансную нагрузку. В расчетах не учитывается наблюдаемое в некоторых типах транзисторов увеличение сопротивления Гнас с ростом частоты ш.

Расчет коллекторной цепи. 1. Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения в критическом режиме

1 + 1/ 1--

TJ -к ДОП 1 к кр - "~

(Э) K.ДOП J

(7.2)

2. Максимальное напряжение на коллекторе [/кмакс илинапряжение коллекторного питания Е

макс = -к + fK.Kp < /к.доп ИЛИ Е = дои - кр. (7.3)

3. Амплитуда первой гармоники (коллекторного тока

4i = 2Pi/6/k.kp. (7.4)

4. Постоянная составляющая коллекторного тока Io=Ji при 0<18О° или /„о=(1,1- 1,2)4i при 0 = 180°. (7.5)

5. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов: бо == ко/Ро! 90 = -ко + бо- (7.6)

6. Максимальная величина коллекторного тока:

/к.макс = -/„о < /к.ДОП (при 6 < 180°),

/к.макс = /ко + 4l < /к.доп (прИ 6 < 180°). (7.7)

7. Мощность, потребляемая от источника коллекторного питания,

Ро = ЕАо. (7.8)

8. КПД коллекторной цепи

Ч = Рг1Ро. (7.9)

9. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора,

Р,.сс=-Ро-Рг. (7.10)

10. Сопротивление коллекторной нагрузки Rn (в двухтактных генераторах для одного транзистора)

k=Lp/2i- (7.11)

ПРОЕКТИРОВАНИЕ ВХОДНОЙ ЦЕПИ

1. Безразмерный параметр VKOB = /a (для схемы ОБ); (7.12а) ®\ткоэ =Ро /т (для схзмы ОЭ). (7,126)

2. Амплитуда входного тока:

/„-.= У+(";"")•/.. в схеме ОБ; (7.1ЭД «071 (9)

вх = = у1фГ 4i в схеме ОЭ, (7.136)

й)-Гэнв= «ттк ОЭ + Ро ® Ск/?„ Yi (0). (7.14)

Для схемы с ОЭ выражение для тока /вх=/б записано с уче-т@м действия обратной связи через емкость коллекторного перехода C„ = CK.A-f Скп [7.1].

3. Дополнительное сопротивление между выводами базы и эмиттера транзистора, включаемое для устранения «перекоса» в импульсах коллекторного тока,

в схеме с ОБ; (7.15а)

в схеме с ОЭ. (7.156)

В реальной схеме с ОБ сопротивление Рд можно увеличить в (3-10) раз.

Отметим, что в реальных генераторах сопротивление Рд можно не ставить: при работе транзистора в классе А (0=180°); при работе транзистора с отсечкой тока (9<180°) в схеме с ОЭ на вы-

сокйх частотах/> ; при работе транзистора на очень низких Ро

частотах f <2пС R-этом случае в последующих ф-лах (7.16) и (7.19) вместо сопротивления Рд надо подставлять сопротивление утечки Ру.э и опускать радикал 11+ (шт)).

4. Максимальная величина обратного напряжения на закрытом эмиттерном переходе [7.1]

«бэ.макс - -ТЩЩГ--1£<бэ.доп, (7.16)

где т=-ГоткОБ - для схемы с ОБ; т=Тэкв - для схемы с ОЭ. При работе транзистора в классе А 0=180° можно опустить расчет напряжения f/б.э.макс П проверку ?7б,э макс б.э.доп-

5. Если напряжение t/б.э.макс превышает допустимое, неосхо-димо уменьшить сопротивление /?д:

При этом, чтобы выполнялось равенство Тзак=Тотк, параллельно сопротивлению необходимо включать дополнительную емкость:

= 2я/1/?д - (в схеме с ОБ); (7.18а)

= - (в схеме с ОЭ). (7.186)

Отметим, что при включении транзистора с ОЭ на высоких частотах (/>3/т/Ро) в реальной схеме можно не ставить сопротивление /?д, оставив только одну емкость Сд.

6. Напряжение смещения на эмиттериом переходе [7.1]:

7о (я-9) Rh , , .

6 - 77 , , =т~1 I •эо

/?э + -в схеме с ОБ; (7.19а)

Е, = - + I £ I + [г,+{ 1 +p„)/?J в схеме с ОЭ.

(7.196)

Отметим, что ф-лы (7.19) справедливы для двухтактных генераторов при последовательном включении транзисторов по входу по высокой частоте.

7. Входное сопротивление транзистора 2вх=/?вх + 1 вх-В схеме с ОБ:

вх /?э + /-б - «oYi (0) 2я + [R Yi (я - 6) -

- «oYx (0) {г, - 2iifJLM 1 + (шт„, 03 )=], (7.20а)

Хвх « 2я/ (£3 + 1б) - [/?д у, (Jt - 0) - а„у, (0) (гб - 2я/1б)] X

Х«Г„Об/[1+(«-откОбГ]-

В схеме с ОЭ: i?3x /?з + /-б + (9) 2я /,Ьз + у, (зх - 6) +

+;У1(0)(Роэ-2я/,£з)]/[1 +(«Гз«е)П, (7.206)

Хех 2я/ (L3 + Le) - [/?д у, (я - 0) + (0) (ро/?, - 2я /, L,)\ X

Х«Тз„в/[1 +(шТзкв)].

7. Мощность возбуждения

8. Коэффициент усиления по мощности

= (7.22)