8 Сотрютивление коллекторной на1пруз1ки (в двухтактных генераторах В расчете на один транзистор)

(7.46)

(7.47)

Для однотактного генератора с фдр1мирующим LC-контурюм по схемам на рис. 7.46 и 7 86.

-uoV" («+ ""-J 1 + I (tnac)

9 Значения L- я С-элемантов формирующего монтура: для од-нотактното генератора ио схемам на рис. 7.4 и на рис. 7.8

= R; с, = - (Скл + С,о), (7.48)

где для схвхм на рис. 7.4а и 7 8а ооп(раги1йлвние R=iRk ш (7.46), а для схем на рис. 7 46 и 7.86 сопротивление R = Rh н/з i(7.47).

Есл1и амиость С] окавынается отрицатешшой (Ci<iO), необходимо уменьшать либо дл!Ительность этапа насыщения Тнас или снижать напряжение коллекторного питания Е.

Проектирование входной цепи широкодиапазонных генераторов. На низких частотах /0,01/т (для совраманных мощных высокочастотных генератррных трайзИоторо(в типа КТ904, КТ907, КТ909 на частотах до 1 -10 МГц) можно не учитьивать (влияние коллекторных емкостей и инду1Ктивио(стей (выводов транзистора и можно считать входное аопротивлаиие транзистора при открытом эмитте1рно1м переходе бл(изким к резистишому, а при закрытом перехо1де - б(лиз(мим (к бесконечности.

На таких ча(ототах для (построения иредоканечных и 1ма1ломощ-ных каюкадов широиодиападаеных первдатч(икав обьмно используют ключевые генераторы с резистчаной (напрузкой. Поэто(му вхадные цапи этих (каскадов, а также (и (выходного каскада проектируют в предиоложанаи того, что цредьщущим каскадом является ключевой генератор с резистивной напрузкой. Изложенная ниже методика расчета вхощной цапи построена (В иредпосылке того, что (на вход 11ра(нз(Истора (поступают прямоугольные импульсы (меа(ндры) то(ка, (которые обеспечивают предыдущий каскад.

1. Амплитуда (бai3(QBoro тока

/в = SU макс/Ро> (7.49)

где s=ll,5-3-(коэффициент насыщения.

2 Постюжнная составляющая базового тока

/6o=-f/6. (7.50)

3 Мощность (возбуждения

вх = - ?,, (7.5i)

2==Гб + (1-Ьро/в)Рз. (7.52) 4. Вспомогательный коэффициент

S <----- . - . (7.53)

5. Амплитуда входного «апряжения

(7.54)

"" (7.55)

6. Входное сопротивление транзистора, усредненное за период ВЧ колебаний,

7. Дополнительное сопротивление

/?я = Е/?вх.ср. (7.56)

8. Напряжение автос.мещения

£б..=-/?д/бв. (7.57)

9. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе

/б.э.«кс + I £бз i < I э доп!- (7.58)

Ш. Входное сопротивление с учетом сопротивления /?д L-/. (7.59)

П. Мощность, потребляемая от предыдущего каскада,

-=6е(5 + 1/). (7.60)

Если величина много меньше 1, в сопротивлении /?д будет терятися значительная мощность от предыдущего каскада. Чтобы ИСКЛЮЧИТЬ эти потери, последовательно с сопротивлением Яд надо включить блокировочный дроссель Lбл• В этом случае Рбх = Рвх=

Проектирование входной цепи узкодиапазонных генераторов. Расчет входной цепи ключевых генераторов при возбуждении гар-моничеоним током можно в первом приближении проводить аналогично, как для генераторов, работающих в недонапряженном (критическом) режиме (см. § 7.4). Некоторые отличия состоят в следующем. Во-первых, в ключевом режиме входной ток (ток базы /б в схеме с ОЭ) должен быть увеличен в s раз (s=l,5-=-3 -

степень насыщения). Во-вторых, включение параллельно база- эмиттер транзистора дополнительного сопротивления Рд (или емкости Сд) в ключевых генераторах необходимо только с целью снижения максимального обратного напряжения на эмиттериом переходе.

1. Амплитуда тока базы

У 1 + (соТэкв) ,

(7.61 >

где сотзвв!

2я/Ск/?„ро71

«1

(7.62)

Рк - сопротивление коллекторной нагрузки согласно (7.46). 2. Дополнительное сопротивление

-б.э.доп

[1+С05(Тнас/2)1 /б

(7.63>

Практически сопротивление Рд включают на низких и средних ча-

стотах (/<- /т. На высоких частотах />--/т можно ограничиться .Ро IPo

включением только дополнительной емкости

l-f cos

нас

- Сз(приСд>0).

(7.64>

«~2я/({/,.з.д„+£)

3. Постоянная составляющая базового тока

/оо = «/ко/Ро. <7.65).

4. Напряжение смещения на эмиттериом переходе на низких и средних частотах при включении дополнительного сопротивления Рд

+ \Е\ + 1,

(7.66а)

на высоких частотах при включенной дополнительной емкости

Ел Л/ -

+ \E\+Uo[r6 + { + )R.

(7.666)

2л/(Сз+Сд)

5. Входное сопротивление транзистора 2вх=Рвх+1-вх приближенно определяется по ф-ле (7.206), в которой надо подставлять 6=Тнас/2 и (отэкв согласно (7.62).

6. Мощность возбуждения Рвх и коэффициент усиления ио мощности Кр определяется по ф-лам (7.21) и (7.22).