Схемы анодной модуляции

Принцип анодной модуляции состоит в том, что при изменении анодного напряжения происходит изменение напряжения запирания, угла отсечки н амплитуды импульсов анодного тока. Однако п(х;кольку генераторные лампы имеют малую проницаемость, то влияние анодного напряжения на угол отсечки в недонапряженном режиме незначительно и статическая модуляционная характеристика (рис. 1.И8, а) имеет незначительный наклон. В области

Критический режим

Inn ill Недоналряжен-иый режим

Переиапрл жеиныи /[ai режим

Рис. I.II8. Модуляционные статические характеристики и их использование для определения значения анодных токов при модуляции

же перенапряженного режима за счет увеличения сеточного тока анодный ток резко уменьшается и наклон модуляционной характеристики увеличивается. Поэтому при анодной модуляции обычно используют перенапряженный режим, при котором работа осуществляется на нижнем прямолинейном участке OA статической модуляционной характеристики.

Конкретные схемы анодной амплитудной модуляции обычно классифицируют по схеме модулятора, т. е. усилителя низкой частоты, с которого снимается модулирующий сигнал, вводимый в анодную цепь модулируемого каскада.

Наиболее широкое применение в передатчиках малой мощности находят дроссельные модуляторы, в передатчиках средней и большой мощности - различные схемы трансформаторных модуляторов.

На рис. 1.119, а приведена схема анодной амплитудной модуляции с модуляционным дросселем (Ьщ,), т. е. с дроссельным усилителем низкой частоты.

Напряжение анодного питания лампы модулируемого генератора Лг складывается из напряжения источника Еа и напряжения модулирующего сигнала в, выделяющегося на дросселе Ещ,1. Следовательно, напряжение ва изменяется во времени по закону модулирующего сигнала. В простейшем случае

ea = Ea + UQC0s9J, (1.90)

где Lg - амплитуда модулирующего сигнала.

Под действием этого напряжения амплитуда первой гармоники анодного тока Imai также будет изменяться по закону модулирующего сигнала с некоторым коэффициентом модуляции т:

-al = /„alH(l+«COSQ0, o-Sl)

где /maiH - амплитуда анодного тока первой гармоники в режиме несущих колебаний (в режиме молчания). Отсюда амплитуда анодного напряжения

t/ma = RJmal = f/alH (1 + s qt). (1.92)

Так как статическая модуляционная характеристика почти прямолинейна и проходит через начало координат, можно считать, что глубина модуляции анодною тока равна глубине модуляции напряжения анодного питания, т. е.

т = -. (1.93)

Следует отметить, что линейность модуляционной характеристики в перенапряженном режиме возрастает при использовании в схеме для получения напряжения смещения ячейки RgCg.

Остановимся на энергетических соотношениях в схемах анодной модуляции. Исходя из формул (1.90) и (1.93) напряжение анодного питания модулируемой лампы изменяется по следующему закону:

ea=Ea(l + mcosQt). (1.94)

Кроме того, из рис. 1.118 следует, что постоянная составляющая анодного тока при модуляции также изменяется с частотой й:

аО = /аон(1+«С08 90, (1.95)

где /а Он - значение постоянной составляющей анодного тока при отсутствии модуляции (в режиме молчания).

Из формул (1.91), (1.92), (1.94) и (1.95) видно, что в процессе анодной модуляции остается неизменным как отношение амплитуды первой гармоники к постоянной составляющей анодного тока

-------- JL

Г- Тп.. -

Сел Тр» УЬЗГСд

.Si

Рис. 1,119. Схемы анодной модуляции: в - с М0ДУЛЯЦИ01ШЫМ йросселек, б - с двухтактным трансформаторным ыодудятором