Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) ( 50 ) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (50)

Шения потерь на второй сетке применяют комбинированную модуляцию иа защитную и экранирующую сетки.

Наиболее просто такая модуляция обеспечивается включением в схему модуляции на защитную сетку ячейки/гСг (рис. 1.120, с).

Если при этом выполняется неравенство jtt-fie2-Tt то

при изменении тока экранирующей сетки по закону модулирующего сигнала, по такому же закону (но в противофазе с током) будет изменяться напряжение на этой сетке.

На схеме, приведенной на рис. 1.120, о, используется источник постоянного смещения в цепи управляющей сетки.



Рис. 1.120. Модуляция на защитную сетку: о -схема, б - статическая модуляциоииая характеристика

Часто в схемах модуляции на защитную сетку в цепь управляющей сетки включают ячейку автоматического смещения за счет сеточных токов. При этом несколько уменьшаются потери в цепи управляющей сетки.

Статическая модуляционная характеристика при модуляции на защитную сетку приведена на рис. 1.120,6. Положение исходной рабочей точки на характеристике определяется источником напряжения Eg3.

Схемы амплитудной модуляции транзисторных генераторов.

Особенности амплитудной модуляции транзисторных генераторов связаны с возникающей в процессе модуляции нестабильностью входного и выходного сопротивлений транзистора.

Для уменьшения влияния этой нестабильности на режим генератора и частоту генерируемых колебаний в схемах амплитудной модуляции на транзисторах целесообразно применять неполное включение колебательного контура в коллекторную цепь транзистора. Кроме того, вследствие сильного влияния изменений температуры на параметры транзисторов, необходимо использовать схемы температурной стабилизации транзисторов и ставить модулируемые каскады в облегченный температурный режим.



Во избежание влияния модулируемого каскада на режим и частоту задающего генератора в многокаскадных транзисторных передатчиках модуляция, как правило, осуществляется в одном из последних или в оконечном каскаде передатчика. В зависимости от того, в какую цепь модулируемого транзистора вводится модулирующий сигнал, различают схемы с коллекторной и базовой модуляцией (рис. 1.121,а и б соответственно).


oi£l I

Первнап- Иедонап-рятённчй I ряженный режим I режим


Недонап- \Олеренап- ряженный I ряженный

режим

режим

Рис. I.I2I. Схемы модуляции транзисторных генераторов и их статические модуляционные характеристики: а - прн коллекторной модуляции; б - прн базовой модуляции

Коллекторная модуляция транзисторных генераторов эквивалентна анодной модуляции ламповых генераторов и осуществляется в перенапряженном режиме, поскольку вследствие малой проницаемости транзистора ко.плекторное напряжение слабо влияет на кол.пекторный ток. Лнгчь в перенапряженном режиме при больших значениях тока базы изменение коллекторного напряжения транзистора существенно влияет на амп.питуду первой гармоники коллекторного тока.

Следует иметь в виду, что потери энергии в цепи базы, возникающие в перенапряженном режиме, значительно нагружают предыдущий каскад высокой частоты. Кроме того, при выборе напряжения источника £к необходимо учитывать возможность превышения допустимых значений ко.плекторного напряжения, поскольку в процессе коллекторной модуляции напряжение на коллекторе может достигать значения 2£к.

Базовая модуляция транзисторных генераторов осуществляется в недонапряженном режиме. Схема базовой модуляции и статическая модуляционная характеристика приведены на рис. 1.121,6,



Они аналогичны схеме и статической модуляционной характеристике при сеточной модуляции смещением и не требуют дополнительных пояснений.

§ П. ЧАСТОТНАЯ МОДУЛЯЦИЯ

1. Общие сведения о ЧМ и ФМ колебаниях

При частотной модуляции амплитуда высокочастотных колебаний остается постоянной, а в соответствии с передаваемым сигналом изменяется частота высокочастотных колебанийш (рис. 1.122).


"с О

1/\АММЛЛЛМШ ,

(До),


2-lt,

Рис. 1.122. Частотно-модулированные колебания

Изменение частоты Дш при неискаженной модуляции должно быть пропорционально амплитуде модулирующего сигнала. Если модулирующий сигнал изменяется по косинусоидальному закону с частотой Q, то угловая частота модулируемого колебания изменяется следующим образом:

Ш = Шо + «максСОЗЙ, (1.96)

где «о - несущая частота модулированного колебания, т. е. среднее значение частоты; "макс - максимальное отклонение частоты в процессе модуляции от своего среднего значения, называемое девиацией частоты. Угловая частота представляет собой скорость изменения фазы

во времени ш = -. Отсюда фаза колебаний в момент t (так называемое текущее значение фазы) определится по форму.пе <р==

= [cocf-fcp(i, где фо - начальная фаза, о

Используя формулу (1.96), получим t t

<jj = j -f j Дш„акс COS Qt di + Фо.



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) ( 50 ) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82)