Коэффициент обратной связи для каскада на лампе Лг можио определить по формуле

Из схемы видно, что через резистор протекают два встречных переменных тока, переменная составляющая анодного тока лампы Л] и ток цепи обратной связи каскада на лампе Л2. Следовательно, введение параллельной обратной связи включением резистора Ri приводит к уменьщению переменного анодного напря-

"ГШ

Рис. 2.64. Типичная схема усилителя с параллельной ООС по напряжению

жения лампы Л]. Данное явление можно объяснить уменьщением сопротивления анодной нагрузки лампы Ли а это означает, что каскад на лампе Л2 кроме входной емкости имеет еще и входное активное сопротивление. Обозначим его /?зр . Это сопротивление включено параллельно сопротивлению Rai-

Учитывая уравнение (2.137) и считая, что Rai-Rnu можно написать следующее равенство:

RbkP + Rbi 1 +

где К2 - коэффициент усиления каскада на лампе Лг без обратной связи. Он равен отношению переменной составляющей анодного напряжения данной лампы к переменному напряжению, действующему на сетке при отключенном сопротивлении Ri. Таким образом,

п R.1 R.i (Явых 1 + Ri)

(2.151)

Уменьшение входного сопротивления усилителя является следствием параллельной обратной связи и считается ее основным недостатком,

5. Отрицательная обратная связь в транзисторных усилителях

В транзисторных усилителях ООС применяется не только для улучшения их качественных показателей, но и для стабилизации режима транзисторов, который зависит от температуры окружающей среды.

Поэтому в транзисторных усилителях следует различать инерционную и безынерционную отрицательную обратную связь.

Усилители с инерционной отрицательной обратиой связью

Обратную связь называют инерционной, если она осуществляется только по постоянному напряжению или по постоянному току какого-либо электрода транзистора. Инерционная от-

Ев +

Ср WcJ0

Чвых

Рис. 2.65. Схема резисторного усилителя с параллельной ИООС по коллекторному напряжению

рицательная обратная связь (ИООС) применяется для температурной стабилизации исходного режима транзисторов. Наиболее часто она используется в следующих вариантах:

- параллельная по коллекторному напряжению;

- последовательная по эмиттерному току.

Схема резисторного усилителя в параллельной ИООС по коллекторному напряжению изображена на рис. 2.65. В этой схеме при помощи интегрирующего (сглаживающего) фильтра /?б1Сф в сочетании с резистором /?б2 происходит выделение постоянного напряжения

«--га;- (2.152)

Это напряжение действует на конденсаторе фильтра Сф. Величина напряжения fo может изменяться только медленно, т. е.

при постепенном изменении окружающей температуры. При этом Еб изменяется обратно пропорционально температуре. Если она повышается, то происходит увеличение тока /ьо Но одновременно уменьшается напряжение ио, а следовательно, и напряжение Еб.

Уменьшение напряжения Ее в свою очередь приводит к уменьщению тока /бо, а эта причина сдерживает перемещение точки исходного режима усилителя вверх по выходной динамической характеристике. В результате этого ток /ко хотя и возрастает с повышением температуры, но в меньшей степени, чем в схеме усилителя с фиксированным смещением, т. е. без обратной связи.

1кО *1бо

Рис. 2.66. Схема резисторного усилителя с последовательной ИООС по эмиттерному току

Эффективность коллекторной температурной стабилизации исходного режима транзистора зависит от величины сопротивления Rk- Схема оправдывает свое назначение только при сравнительно большой величине Rk-

Сопротивлепие нагрузки транзистора для переменного тока коллектора состоит из параллельного соединения резисторов Rk, Rei, Rn и входного сопротивления следующего каскада /?вх.

Его точная величина равна

Rk-Rci + Ru-Rn + Rk-Rbx + R6i-Rn + Rui-Rs-i + Rn-Rs

•. (2.153)

Именно это сопротивление определяет коэффициенты усиления каскада (по напряжению, току и мощности). Сопротивление R62 шунтирует вход усилителя по переменному току и тем самым уменьшает его входное сопротивление.

Схема резисторного усилителя с последовательной ИОС по эмиттерному току изображена на рис. 2.66. В этой схеме на ячейке RaCg создается напряжение только за счет постоянной составляющей эмиттерного тока /во, а ее величина зависит от температуры транзистора.