Главная -> Книги (0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) ( 15 ) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (15) с повышением температуры ток /оо возрастает, что приводит к увеличению напряжения U- По при этом уменьшается напряжение f/fio. что ослабляет процесс инжекции и сдерживает рост эмиттерного тока, а следовательно, и рост коллекторного тока. Хорошая эмиттерная температурная стабилизация исходного режима транзистора получается только при достаточно большом сопротивлении /?э и небольшом сопротивлении /?к. Обычно величина сопротивления /?э выбирается порядка единиц килоом. Чем больше тем стабильнее режим усилителя, но тем больше должно быть напряжение Е. Усилитель с безынерционной отрицательной обратной связью Применение инерционной ООС часто не обеспечивает требуемой стабильности параметров транзисторного усилителя. Тогда приходится применять безынерционную отрицательную обратную Сп I -rБл 4,-L 1 Г4 Рис. 2.67. Схема резисторного усилителя с параллельной БООС по коллекторному напряжению связь (БООС). Методы ее осуществления те же самые, что и в ламповых усилителях. Наиболее часто используюгся следующие варианты БООС: - параллельная по коллекторному напряжению; - последовательная по эмиттерному току; - комбинированная. Схема резисторного усилителя с параллельной БООС по коллекторному напряжению изображена на рис. 2.С7. В этой схеме ток базы определяется по формуле (2.154) Из формулы видно, что между током базы и напряжением на коллекторе имеется линейная зависимость. Ее можно использо- вать для нахождения точки исходного режима на коллекторной динамической характеристике усилителя. Для этого необходимо задаться рядом значений тока базы (по числу имеющихся коллекторных статических характеристик) и рассчитать соответствующие им коллекторные напряжения. Найденные точки (рис. 2.Ь8) соединяют плавной кривой, называемой линией исходного режима (ЛИР). Она пересекает коллекторную динамическую характеристику в точке исходного режима. По ней легко определяются величины /бо, /ко и Uo. ЛИР lg=-WOMKA 1д=-50л1КА Рис. 2.68. Определение точки исходного режима резисторного усилителя с параллельной ООС по коллекторному напряжению Если усилитель работает в типовом режиме, то его основные параметры можно рассчитать по приближенным формулам. В низкочастотных параметрах Т-образной схемы транзистора они имеют следующий вид. 1) Входное сопротивление усилителя (2.155) 2) Коэффициент усиления по току 3) Коэффициент усиления по напряжению (2.156) (2.157) Параллельная БООС по коллекторному напряжению уменьшает входное сопротивление усилителя. Поэтому уменьшается и коэффициент усиления по току. Схема усилителя с последовательной БООС по току изображена на рис. 2.69. Напряжение обратной связи создается на резисторе Ra. Оно пропорционально току эмиттера. Ток эмиттера может изменяться быстро (сигнальные изменения) или медленно (температурные изменения). В обоих случаях обратная связь действует, так как резистор Ra не заблокирован конденсатором. Ток базы в исходном режиме определяется по уравнению R6 i Лэ(1 + Р) (2.158) В соответствии с ним легко найти величины /„о и Uuo (по точке исходного режима иа коллекторной динамической характеристике) . Рис. 2.69. Схема резисторного усилителя с последовательной БООС по эмиттерному току Основные параметры усилителя с БООС по эмиттерному току можно рассчитать по следующим уравнениям. 1) Входное сопротивление усилителя /?вх = Гб Ч- гД1 + Р) + /?з (1 +Р). (2.159) Оно заметно больше, чем в предыдущих схемах, и не зависит от коллекторной нагрузки. 2) Коэффициент усиления по току (2.160) к-КЛн + ЛзХТ + Р) 3) Коэффициент усиления по напряжению jv- !/ R и (2.161) Последовательная БООС по эмиттерному току за.метно увеличивает входное сопротивление усилителя, незначительно уменьшает коэффициент усиления по току и резко уменьшает усиление сигнала по напряжению. Однако надо иметь в виду, что иа вход усилителя с большим входным сопротивлением попадает ббльшая часть ЭДС источника сигнала. (0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) ( 15 ) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) |
|