Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) ( 21 ) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (21)

Рассмотрим ее действие на примере транзисторного каскада (рис. 2.86).

В этой схеме резистор эмиттерной коррекции /?эк и конденсатор эмиттерной коррекции Сак предназначены для уменьшения времени нарастания фронта выходных импульсов, т. е. для рас-


Рис. 2.86. Схема импу.11ьсно10 усилителя с последовательной КООС по эмиттерному току

ширения полосы пропускания усилителя в области верхних частот. Действие ячейки РэкСэк можно объяснить либо частотным, либо временным методом. В любом случае надо учитывать, что


Рис. 2.87. Напряжение на колчекторе транзистора в импульсном усилителе-а -без обратной связи (R к== эмиттерной ВООС

(Сд 1=0). в -с эмиттерной ИООС прн малой емкости С г - с эмиттерной ИООС при значительной емкости (в случаях б, в п г сопротивление одинаковое)

емкость конденсатора Сэн невелика (обычно сотни пикофарад). Сопротивление Рэк обычно бывает порядка сотен ом. Более подробно о значении этих величин поговорим в процессе объяснения рис. 2.87.



предположим, что Rbk = 0. Тогда и конденсатор Сак не нужен. В этом случае в усилителе обратной связи нет и его коэффициент усиления максимален. Напряжение на коллекторе изображается кривой а.

Если в усилителе резистор Rt, есть, а конденсатора Сдк нет (т. е. Сэк = 0), получается схема с эмиттерной БООС. Безынерционная отрицательная обратная связь уменьшает амплитуду выходного импульса и длительность его фронтов. Однако сокраше-ние длительности фронтов происходит в меньшей степени, чем уменьшение коэффицнента усиления каскада (кривая б).

Если при неизменной величине сопротивления (порядка

сотен ом) увеличивать емкость Сак (примерно до тысячи пикофарад), то будет наблюдаться постепенное возрастание крутизны фронтов импульса, т. е. уменьшение их длительности. Поэтому форма напряжения на коллекторе транзистора становится более прямоугольной (кривая в).

Происходит это вследствие того, что конденсатор Сж небольшой емкости устраняет обратную связь для высших гармоник частотного спектра импульсною сигнала, но сохраняет ее для области его средних и нижних частот. По этой причине изменение коллекторного напряжения начинается при огсутствии обратной связи, а заканчивается при ее наличии.

Физически это объясняется тем, что напряжение на конденсаторе не может изменяться мгновенно. Все эго означает, что из-за наличия сравнительно малой емкости Сен отрицательная обратная связь в усилителе начинает действовать с небольшим запаздыванием. Когда это время истекает, фронт импульса оказывается уже сформирован. Такая обратная связь является инерционной.

При емкости Сэк в несколько тысяч пикофарад обратная связь вступает в действие с очень большим опозданием и напряжение на коллекторе успевает измениться на величину, большую, чем амплитуда импульса (кривая г). В результате этого на вершине импульса появляется характерный выброс.

Помимо коррекции фронта выходных импульсов резистор /?эк осуществляет температурную стабилизацию исходного режима усилителя. Если она оказывается недостаточной, а форма импульсов хороша, то применяют варианты схем, изображенные на рис. 2.88.

В этих схемах конденсатор Сд имеет большею емкость (единицы микрофарад), а сопротивление Ra бывает порядка нескольких тысяч ом. Поэтому Оос для основных гармонических составляющих импульсного сигнала создается только на резисторе RsK, а ООС для постоянного тока эмиттера получается на суммарном сопротивлении Rs+Rk-

Основной недостаток данных схем заключается в малом усилении низших гармоник импульсных сигналов. Объясняется это увеличением обратной связи на низших частотах, которая создается для них на обоих резисторах. Бороться с этими явлениями



значительным увеличением емкости Сэ„ нелегко, так как электролитические конденсаторы очень большой емкости имеют малое сопротивление утечки и большие габариты.

Указанный недостаток приведенных схем может оказаться су-шественным в случаях очень низкой частоты повторения усиливае-


Рис. 2.88. Варианты схем импульсных усилителей с повышенной температурной стабильностью исходного режима

мых импульсов (при больших дальностях действия РЛС), а так же при их значительной длительности (сотни микросекунд).

Ламповые видеоусилители 1кО*1бО с КООС для коррекции фронтов выходных импульсов ана-логичмы транзисторным. Их схема обычна (рис. 2.17 или 2.26), но конденсатор катодной ячейки имеет небольшую емкость (сотни пикофарад).

4. Видеоусилители с низкочастотной коррекцией

Если в рассмотренных видеоусилителях нижняя граничная частота полосы пропускания Д,г оказывается недоста-точно малой, то их схемы дополняют элементами иизкоча-стотной коррекции. Применим Эту коррекцию в простейшем усилителе на транзисторе п-р-п. Тогда получается схема, изображенная на рис. 2.89. В этой схеме последовательно с коллекторным сопротивлением Рн включен рС-фильтр. Он состоит из резистора /?к,ф и конденсато-


Рис. 2.89. Схема импульсного усилителя с низкочастотной коррекцией



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) ( 21 ) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86)