ны: Си = 50-200 пф; „ = 0.5-2 Мом; Сп = 0,01-0,1 икф; Rn = = 0,5-2 Мом.

Коэффициентом передачи напряжения детектора приемника связи называется отношение амплитуды выходного напряжения звуковой частоты к амплитуде огибающей входного модулированного напряжения высокой частоты:

п = . (2.251)

где t/Q - амплитуда выходного напряжения н1йкой частоты;

- амплитуда входного напряжения несущей частоты; m - коэффициент глубины модуляции входного напряжения.

Обычно в приемнике связи Д„ = 0,7-0,9. Входное сопротивление диодного детектора в приемнике связи определяется по формуле (2.250).

Большим достоинством диодного детектора является малая степень нелииейнйх искажении при условии, что амплитуда детектируемого сигнала достаточно велика. Это хорошо видно из рис. 2.153. Анодная характеристика диода правее точки а почти линейна, и поэтому между постоянной составляющей анодного тока диода и огибающей входного сигнала имеется линейная зависимость. Это означает, что форма напряжения на нагрузке де-гектора соответствует форме огибающей детектируемого напряжения.

Нелинейные искажения в диодном детекторе отсутствуют, если минимальная амплитуда высокочастотного модулированного входного напряжения превышает 2-3 в.

Диодный детектор с параллельным включением сопротивления нагрузки

Схема диодного детектора с параллельным включением сопротивления нагрузки приведена на рис. 2.147,6. В эгой схеме диод и резистор Re включены параллельно.

Физические процессы, происходящие в этом детекторе, почти не отличаются от процессов в детекторе с последовательным вклю-ficHHCM нагрузки. Отличие состоит только в том, что конденсатор Сн разряжается не только через сопротивление нагрузки, но и через контур.

Из схемы детектора видно, что напряжение на аноде диода одновременно является и выходным напряжением. Это означает, что на выходе детектора действует не только напряжение звуковой частоты, но и напряжение высокой частоты (средний график рис. 2.153). Поэтому для использования данной схемы в качестве основного детектора приемника необходимо разделить высокочастотные и низкочастотные составляющие, для чего необходимы в детекторном каскаде дополнительные элементы (например, дроссель высокой частоты). Однако усложнять схему основного детек-

тора приемника нежелательно. По этой причине детектор С параллельным включением нагрузки обычно используют в схемах АРУ не для выделения напряжения звуковой частоты, а для выделения постоянного напряжения Ug, величина которого определяется амплитудным значением несущей частоты сигнала. Для этой цели параллельно диоду включают реостатно-емкостный фильтр (рис. 2.154). Этот фильтр служит делителем напряжения, в котором сопротивление конденсатора Сф для всех переменных составляющих анодного тока значительно меньше, чем сопротивление Яф. Даяное условие выполняется, если Лф= = 1-2 Мом, а Сф=0,01 -

0,1 мкср.

Постоянное напряжение Uo, получающееся на выходе детектора, в дальнейшем используется для автоматической регулировки усиления каскадов УВЧ и УПЧ (см. § 14). Диодный детектор с параллельным включением сопротивления нагрузки применяется также в системе автоматической подстройки частоты, в ламповых вольтметрах и других устройствах.

Входное сопротивление детектора, изображенного на рис. 2.147,6, несколько меньше, чем детектора с последовательным включением сопротивления нагрузки. Его определяют по формуле

(2.252)

Рис. 2.154. Параллельный диодный детектор с фильтром для выделения постоянного напряжения

3. Диодный детектор иа полупроводииковом диоде

Полупроводниковый диод отличается от вакуумного диода наличием обратной проводимости. Поэтому входное сопротивление детектора на полупроводниковом диоде сравнителыно мало. Данное обстоятельство вынуждает применять слабую связь полупроводникового детектора с контуром предыдущего каскада (УПЧ или УВЧ). Она бывает трансформаторной или автотрансформаторной. Значительно реже используется полное включение контура.

Простейшая схема диодного детектора на полупроводниковом диоде изображена на рис. 2.155. Она выполнена с последовательным включением нагрузки. Нагрузка представлена резистором Rn и конденсатором Сн. На практике параллельно этим элементам будет включено входное сопротивление следующего каскада Rbx. ел- Поэтому полное сопротивление нагрузки

Если следующий за детектором каскад ламповый, то Rbx ЭЛн и RHti~Ra, а если он транзисторный, то RmiKRa.

Для определения качественных показателей детектора необходимо знать характеристику диода и величину входного напряжения, которое при расчетах допустимо считать немодулированным. Типичная характеристика полупроводникового диода изображена на рис. 2.156. Обычно для детектирования используются то-

Рис. 2.155. Простейшая схема диодного детектора на нолунроводниковом диоде

чечные германиевые диоды. Кремниевые диоды применяются значительно реже ввиду большей величины прямого сопротивления.

Если амплитуда входного напряжения достаточно велика (единицы вольт), то детектор работает в режиме, который условно на-

im, мА

А4 0,8 Unp,B

Рис. 2.156. Типичная характеристика полупроводникового детекторного диода

Рис 2.157. Идеализированная характеристика полупроводникового детекторного диода

зывают «линейным». Если амплитуда входного напряжения мала (милливольты), то детектор работает в режиме, который называют «квадратичным».

В «линейном» режиме результаты детектирования практически те зависят от формы характеристики диода. Оми определяются только крутизной ее прямолинейного участка и обратным сопротивлением диода. Поэтому при детектировании сильных (больших) сигналов характеристику диода можио изображать в идеализированном виде (рис. 2.157). Поскольку практически