Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) ( 22 ) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (22)

нргШиг



Рис. 13.24

кривой /2 = /(/2) смещено выше начала кривой = на ток /. Из рис. 13.24, а следует, что (7, = (/, + (/2 аЬ = ~ (1 + 2)- построения кривой

l(bo) "Р* ~ const задаемся произвольным током /j, проводим через это значение /j горизонталь и суммируем абсциссы пересечения этой горизонтали с абсциссами кривых / и 2. Получаем кривую 3. Кривая /, = fiUab) (кривая 3) на рис. 13.24, д получается из кривой <?(рис. 13.24, г) зеркальным отражением относительно вертикальной оси. При ином значении / будет новая кривая /j = f{Ufj). Если на участках

/ и 2 будут включены ЭДС £, и £2(рис. 13.24, в), то Uf = - ((У, -- -- £j -f Е.

BAX/j = /(/Уд,)вэтом случае получаем параллельным переносом кривой<?(рис. 13.24, д) на {Еу + fg) - кривая 4.

§ 13.15. Диакоптика нелинейных цепей. Под диакоптикой понимают расчет сложных цепей по частям, с учетом влияния частей друг на друга.

Проиллюстрируем идею метода на примере схемы (рис. 13.25, а). Это мостовая схема с шестью ветвями и шестью HP. Всю схему, за исключением ветви 5 с током /5, представим на рис. 13.25, б некоторым нелинейным двухполюсником /, а ветвь 5 - двухполюсником 2. Общим для них является ветвь аЬ с током /5.

Если на рис. 13.25, в построить кривую /5 = f(Uf) - кривую / - для двухполюсника / и кривую /5 = /(оь) - кривую 2 - для двухполюсника 2, то точка пересечения кривых / и 2 удовлетворяет работе обеих частей схемы, т. е. является решением задачи.

)1 к.






20 406080 U,B 6)

125.

127 190

Рис. 13.26


О 10 20 U,B О 500 WOO a) 5)

Рис. 13.27

10 20 U,B в)

о 0J5 Л,мкм О

t б /;кгц г)

Для получения кривой / необходимо в соответствии с § 13.14 сначала построить семейство ВАХ ветвей / и 2 /, = /(f/), ВАХ ветвей Зк4 1 = ficd) "Р различных /5. Затем учесть, что /j + /3 + /g = О для каждого /5. Из этого условия определить cd 1» 3 " каждого фиксированного /5 и по ним построить /5 = /(оД

§ 13.16. Терморезисторы. Терморезисторы представляют собой HP, сопротивлег ние которых сильно зависит от температуры Т тела терморезистора. Так как эта температура зависит не только от тока, проходящего по терморезистору, но и ох. температуры окружающей среды 6, тоони представляют собой температурно управ-i ляемые HP. Другими словами, один и тот же терморезистор обладает различными ВАХ при различных 6. Ток, нагревающий терморезистор, может проходить по самому терморезистору либо по нагревательной обмотке, электрически изолированно»!, от него.

Терморезисторы подразделяют на два класса: термисторы (с отрицательньЫ температурным коэффициентом) и позисторы (с положительным температурным коэффициентом). Термисторы изготовляют из оксидов меди и марганца, позисторГ - из титаната бария, легированного редкоземельными металлами. Постоянная времени нагрева терморезисторов составляет обычно несколько десятков секунд. Обозначают терморезисторы в соответствии с рис. 13.26, а, ставя соответственно букву Т или П.

На рис. 13.26, б изображены ВАХ термистора типа ММТ-4, а на рис. 13.26, в - позистора СТ5-1.

§ 13.17. Фоторезистор и фотодиод. Фоторезистор - это резистор, управляемый световым потоком Ф. Действие его основано на внутреннем фотоэффекте. ВАХ при неизменном потоке показана на рис. 13.27, а, люкс-амперная характеристика при неизменном напряжении - на рис. 13.27, б, спектральная характеристика / == f{N (ток - в относительных единицах, К - длина волны) при неизменном U и Ф - на рис. 13.27, в, частотная характеристика / = ф(/) при неизменном Фи U - на рис. 13.27, г.



R ОЛ 0.1

Рис. 13.28

О го ио 60 и.в б)



О 0,025 0.5 Ф,лм в)

Рис. 13.29

Фотодиод (ФД) - это германиевый или кремниевый диод, обратный токр-«-пс рехода которого зависит от освещенности перехода. Работа его основана на вентильном фотоэффекте.

фД могут работать с внешним источником (схема на рис. 13.28, а) и без него (рис. 13.29, а). ВАХ одного из типов серно-таллиевого ФД при различных Ф изображена на рис. 13.28, б.

При работе без внешнего источника питания Лотогальваническая ЭДС достигает 0,1 - 0,2 В и более. Схема замещения для рис. 13.29, а изображена на рис. 13.29, б. ФД на нем представлен источником ЭДС холостого хода и внутренним сопротивлением R . ЭДС Е - нелинейная функция светового потока Ф. ВАХ R-- "кривая / на рис. 13.29, в, а прямая 2 - ВАХ R при £ = 0,2 В и /?„ = 250 Ом.Т1ересе-чение кривой / с прямой 2 определяет рабочий режим.

§ 13.18. Передача максимальной мощности линейной нагрузке от источника с нелинейным внутренним сопротивлением. В схеме на рис. 13.29, б линейной нагрузке сопротивлением передается мощность от источника ЭДС через резистор R имеющий нелинейную ВАХ (кривая / на рис. 13.29, в). Обозначим через и -

Напряжение на нелинейном резисторе Р

на рис

Мощность,

IRJ = (£ - U)I. Возьмем производную

выделяющаяся в нагрузке.

и приравняем

ее нулю:

d/ = - /?в - = О- Учтем, что Е - U = IR, а -~ = R пред-

оставляет собой дифференциальное сопротивление нелинейного резистора. Следова-•пьно, максимальная мощность передается нагрузке, когда в рабочей точке R =

""""диф-

Если в схеме рис. 13.29, б нелинейным будет не только внутреннее сопротивление источника питания, но и сопротивление нагрузки, то нагрузке будет редаваться максимальная мощность (энергия), когда в рабочей точке статическое Противление нагрузки равно дифференциальному сопротивлению источника пи-зния (доказывается аналогично).



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) ( 22 ) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78)