Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) ( 45 ) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (45)



Рис. 15.28

ПОТОК электронов с катода на анод, чем изменение (на то же значение) разности потенциалов между анодом и катодом.

§ 15.39. ВАХ трехэлектродной лампы для мгновенных значений.

Цепь, образованную анодом и катодом трехэлектродной лампы, источником ЭДС £"а и нагрузкой называют анодной цепью. Цепь, образованную сеткой и катодом электронной лампы и источником ЭДС Е, называют сеточной цепью.

Напряжение между анодом и катодом называют анодным напряжением, между сеткой и катодом и - сеточным напряжением.

Ток в анодной цепи и ток в сеточной цепи 4 нелинейно зависят от анодного и сеточного напряжений и и и..

Под анодными характеристиками трехэлектродной лампы понимают зависимость анодного тока от анодного напряжения и при сеточном напряжении и., взятом в качестве параметра.

На рис. 15.28, а изображено семейство анодных характеристик лампы. Стрелка на рис. 15.28, а - в указывает направление, в котором возрастает параметр.

Если семейство анодных характеристик рассечь прямыми «a=const, то можно получить семсйство кривых i=f{u) при параметре Ид. Такие кривые называются сеточными {анодно-сеточными) характеристиками трехэлектродной лампы (рис. 15.28, б). Для них характерно, что ток 1ф при «=0; кроме того, имеется область насыщения, в которой ток почти не увеличивается с ростом и.

Семейство кривых i=f{u) при различных значениях анодного напряжения и положительных значениях и для одного из типов ламп изображено на рис. 15.28, в.

В общем случае при работе лампы одновременно меняются и и и и изображающая точка на семействах анодных и сеточных характеристик перемещается с одних кривых на другие. В частном случае работы, когда и остается неизменным или почти неизменным, i=f{uj изображается одной кривой семейства кривых (рис. 15.28, б).

Если электронная лампа работает при отрицательных или сравнительно малых положительных напряжениях на сетке, то сеточный ток имеет малое значение и его в расчете, как правило, не учитывают.



Следует отметить своеобразие сеточной характеристики по сравнению с обычными ВАХ: сеточная характеристика дает связь не между током через нелинейный элемент и напряжением на нем, что характерно для обычных ВАХ, а между мгновенным значением тока через нелинейный элемент и мгновенным значением управляющего напряжения на нем.

§ 15.40. Аналитическое выражение сеточной характеристики электронной лампы. Сеточная характеристика при Ug=const можег быть приближенно представлена отрезками прямых (рис. 15.29). Часть сеточных характеристик, например характеристика, выделенная жирной линией на рис. 15.28, б, может быть описана полиномом третьей степени:

где iaO - значение тока /а при Uc=0; а(А-В )и6(А-В ) - числовые коэффициенты.

> Для определения коэффициентов а иЬ следует выбрать на характеристике две точки с координатами (ig,, и) и (ig. "с2) решить систему двух уравнений с двумя неизвестными:

,3 .

al =аО+«"с1-"с1

9 = io+au.-bu

Характеристика потипу пунктирной кривой на рис. 15.28, б может быть приближенно описана полиномом пятой степени:

а = аО+Р"с+"?~"с

где р, г ид - числовые коэффициенты.

§ 15.41. Связь между малыми приращениями входных и выходных величин электронной лампы. Как упоминалось в § 15.40, анодный ток L является функцией не только анодного, но и сеточного напряжения: а=а("а "с)- сли по отношению к некоторому исходному состоянию {Ug, 7.) сеточное напряжение получит небольшое приращение Ац,, то оно вызовет приращение анодного напряжения Аи и анодного

тока Дг .

Проделав выкладки, аналогичные выкладкам § 15.32, получим

M = gAUg-\-SAu, (15.46)

где g,

(dl

иг, Uc

- внутренняя проводимость лажпм(проводимость между анодом и катодом).




Величину, обратную g-, называют внутренним сопротивлением лампы (сопротивление между анодом и катодом):

Ri=Ugi. (15.47)

Крутизна характеристики лампы S имеет размерность проводимости:

(д1Л (15.48)

Проводимость gj и крутизна характеристики S зависят от вида характеристик лампы и исходных напряжений и U. Отношение S Kg,-называют коэффициентом усиления лампы:

ii = S/g, (15.49)

Коэффициент \1 показывает, во сколько раз приращение напряжения между сеткой и катодом Аи оказывается более эффективным, чем приращение напряжения между анодом и катодом Аи в отношении получения одинакового приращения анодного тока Ai. С учетом сказанного имеем

Аи = RAi-iiAu. (15.50)

§ 15.42. Схема замещения электронной лампы для малых приращений. На схеме (рис. 15.30, а)через U, Lj.,/a обозначены постоянные составляющие напряжений и тока, соответствующие исходному состоянию схемы. Положительные направления для приращений Аи, Аи, Ai те же, что и для исходных напряжений и токов.

Запишем уравнение для приращений напряжений в анодной цепи, вызванных приращением напряжения Аи на сетке лампы. С этой целью составим два уравнения по второму закону Кирхгофа для анодной цепи. Одно из них - для режима до получения приращений: U-\- U =Е; другое - для режима после получения прира-щен1Ь: U-i-Au-\-U-\-AU = Е. Если в последнем уравнении U-\-Uj заменить на

£, то окажется, что

Ац,+Лц„ = 0, (15.51)

где Auh - приращение напряжения на нагрузке Ru.

В уравнение (15.51) вместо Ац подставим /?„Aia и вместо Аи в соответствии с

уравнением (15.50) RAi-\iAu. В результате получим

{R„-{-Ri)i, = iiAu,. (15.52)

Уравнению (15.52) отвечает схема на рис. 15.30, б. В этой схеме к управляемому источнику ЭДС \iAu присоединены нагрузка /?„ и внутреннее сопротивление электронной лампы Таким образом, для малых приращений анодную цепь электронной лампы замещают (имитируют) источником ЭДС iiAu и последовательно с ним включенным резистором сопротивлением ЭДС этого источника пропорциональна

изменению напряжения на сетке лампы (т. е. это зависимый источник ЭДС; ср. с § 15.35).

На рис. 15.30, в изображена другая часто используемая схема замещения. В ней вместо источника ЭДС включены управляемый источник тока 5Ац.и шунтирующий

его резистор /?,(напомним, что переход от источника ЭДС к источнику тока рассмот рейв §2.2). Ч I

В схемах на рис. 15.30, б, в не учтены межэлектродные емкости, поэтому такие схемы применимы для относительно низких частот. Схема замещения для высоких частот изображена на рис. 9.3, б.

Пример 154. Между сеткой и катодом триода 6С2С приложено напряжение Lj,-fAuj,= Lj.-f Lj.sino)/= -2-f 0,05sin(o/(pHC. 15.30, a). Зависимосты"з=/(Ца)при



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) ( 45 ) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78)