Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) ( 19 ) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141) (142) (143) (144) (145) (146) (147) (148) (149) (150) (151) (152) (153) (154) (155) (156) (157) (158) (159) (160) (161) (162) (163) (164) (165) (166) (167) (168) (169) (170) (171) (172) (173) (174) (175) (176) (177) (178) (179) (180) (181) (182) (183) (184) (185) (186) (187) (188) (189) (190) (191) (192) (193) (194) (19)



Рис. 5.4. Конструктивно-технологические варианты гибридных полупроводниковых ЗСИ на принципе рассеяния света

и монолитных многоразрядных индикаторов с высотой знака от 2,5 до 5,0 мм наибольшее распространение получили следуюш:ие конструктивно-технологические варианты полые керамические корпуса со стеклянной крышкой (рис 5 3,о); рамочные конструкции с последующей герметизацией светопропускающим компаундом методом свободного литья (рис 5 3,6), стеклотекстолитовые или керамические подложки с двусторонней металлизацией с накидными линзовыми крышками (рис 5 3,е). Для гибридных индикаторов с высотой знака от 7 до !2 мм характерна конструкция с полым керамике стеклянным корпусом (рис 5 3,г) Для гибридных индикаторов, основанных на принципе рассеяния света с высотой знака от 7 до 25 мм, чаще всего применяются полые керамические корпуса со светорассеивающим светопроводом (рис 5 4,а), керамические держатели с растровыми светопроводами и последующей герметизацией светорассеивающими компаундами методом свободного литья (рис 5 4,6), рамочные конструкции с растровыми светопроводами и последующей герметизацией светорассеивающими компаундами методом свободного литья (рис 5 4,е); стеклотекстолитовые или керамические подложки с растровыми светопроводами и накидными светорассеивающими крышками (рис 5 4,г)

Следует отметить растущую тенденцию применения полых корпусов из многослойной керамики со световыводящей крышкой для индикаторов с элементами управления в едином корпусе и матричных индикаторов Такие корпуса характеризуются малым числом выводов, большой плотностью топологии, высокой точностью посадочных площадок и колодцев, возможностью перекрестной коммутации, креплением выводов в поле проекции корпуса, высокой надежностью последующей сборки и монтажа кристаллов

5.4. УПРАВЛЕНИЕ ИНДИКАТОРАМИ

Управление ПП ЗСИ осуществляется подачей на элементы изображения статического (постоянного) или динамического (импульсного) напряжения При этом один элемент изображения при номинальной яркости свечения в среднем потребляет ток порядка 10 мА Быстродействие при номинальном напряжении питания 2-5 В составляет порядка 10 НС.

5-5210




Рис. 5.5. Схемы управления светодиодами с помощью микросхем:

а - с активным выходом; б - с открытым коллектором; в-д-с транзистором

Для управления единичными светодиодами обычно применяют ста-чческий способ управления с использованием транзисторных ключей или простых ключевых микросхем. Включение светодиода происходит напряжением лог. 1. На рис. 5.5 приведены примеры схем управления с активным выходом и открытым коллектором, а также с помощью транзистора.

Сопротивление токоограничивающего резистора рассчитывается так, чтобы не допустить большого тока через светодиод. Например, для схемы на рис. 5.5,3 оно определяется из равенства IR = Uu-- -f/кэнас, где / - номинальный средний ток через светодиод; Vn-- напряжение питания; (/ко пас-напряжение коллектор-эмиттер транзистора в режиме насыщения; (/„ - прямое падение напряжения на излучающем элементе.

Для управления сегментными индикаторами обычно используют двоично-десятичные дешифраторы. В зависимости от типа таких индикаторов применяют как статическое, так и динамическое управление. На рис. 5.6 представлена структурная схема статического управления, в которой иа индикаторе высвечивается соответствующая цифра при подаче питания на один из десяти входов дешифратора. На рис. 5.7 пседставлена структурная схема динамического управления матричным индикатором. Схема работает следующим образом. Поступающая последовательно на вход, информация преобразуется в параллельный код и записывается в запоминающее устройство (ЗУ). Импульсы от управляющего генератора подаются на счетчик и распределитель импульсов. Счетчик через дешифратор адреса столбца последовательно по тактам обеспечивает считывание информации, записанной в ЗУ. В каждом такте информация из ЗУ через дешифратор строк поступает на горизонтальные шины индикатора. Одновременно распределитель импульсов создает импульс на вертикальной шине соответствующего столбца. С каждым импульсом от управляющего генератора происходит высвечивание информации последовательно по всем столбцам.

Для управления цифровыми матричными индикаторами экономичнее применять специальные дешифраторы (например, типов 514ИД1,



и6,: -/8x7-

ибхд-



Рис. 5.6. Диодный дешифратор для управления сегментным индикатором

514ИД2). Они монтируются в том же корпусе, что и индикатор. Как правило, ПП ЗСИ конструктивно и технологически полиостью совместимы со стандартными биполярными и МДП-микросхемами управления, способны работать в мультиплексном режиме при длительности импульсов от 10 до 100 не.

В настоящее время ПП ЗСИ применяются в электронных наручных часах и секундомерах, микрокалькуляторах, радиоприемниках, телевизорах и магнитофонах (индикация времени, частоты, настройки), автоматической кино- и фотоаппаратуре, цифровых измерительных приборах. Области применения ПП ЗСИ непрерывно расширяются. Это обусловлено следующими их достоинствами (кроме полной совместимости с микросхемами); возможностью создания приборов любого цвета свечения, высоким быстродействием, надежностью и большой долговечностью, высокой механической стойкостью, возможностью электрической регулировки яркости, малыми габаритными размерами и массой.



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) ( 19 ) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) (44) (45) (46) (47) (48) (49) (50) (51) (52) (53) (54) (55) (56) (57) (58) (59) (60) (61) (62) (63) (64) (65) (66) (67) (68) (69) (70) (71) (72) (73) (74) (75) (76) (77) (78) (79) (80) (81) (82) (83) (84) (85) (86) (87) (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (95) (96) (97) (98) (99) (100) (101) (102) (103) (104) (105) (106) (107) (108) (109) (110) (111) (112) (113) (114) (115) (116) (117) (118) (119) (120) (121) (122) (123) (124) (125) (126) (127) (128) (129) (130) (131) (132) (133) (134) (135) (136) (137) (138) (139) (140) (141) (142) (143) (144) (145) (146) (147) (148) (149) (150) (151) (152) (153) (154) (155) (156) (157) (158) (159) (160) (161) (162) (163) (164) (165) (166) (167) (168) (169) (170) (171) (172) (173) (174) (175) (176) (177) (178) (179) (180) (181) (182) (183) (184) (185) (186) (187) (188) (189) (190) (191) (192) (193) (194)