Пусть г = 100 Ом, /?„ = 1000 Ом, m = 2, f = 50 Гц, К,, = 0,1, (Уо = 150 В и /о = 0,15 А. Введя первые пять параметров и задав 8 = 10-*, получим: С = 7,29187-10-= Ф, 9 = 0,7200122 рад, /С(0) = = 0,11809036, S(0)= 0,94055459, /(0) = 6,6029987 и /Э(0) = = 2,2940527. Стедовательно, «72 = 150-0,94055459 = 141,08319 В, /„„, = 0,15-6,6029987/2 = 0,4952249 А, /в = 0,15-2,2940527/2 = = 0,17205395 А н /г = л/2 /в = 0,24332101 А,

7.5. Пересчет параметров транзисторов

Нередко нужно найти физические параметры транзистора (сопротивления эмиттера Гэ, базы го, коллектора Гк и коэффициент передачи тока эмиттера а = /-т/гк) по Л-параметрам транзистора, ха« рактеризующим его как четырехполюсник. Пересчет ведется по формулам табл. 7,3 [20] и реализуется одной программой.

Таблица 7.3

Программа 7.29. Расчет физических параметров по Л-параметрам, Ввод: Ли = РА, Л12 = РВ, /!21 = PC, Л22 = РД и код (О для схемы с общей базой и 1 с общим эмиттером) в регистр X. Вывод результатов: г„-Р1, гэ-Р2, г„-> РЗ, г„,Р4 и а->Р6 = РХ,

П5 ИПА 1 ИПС + ИПВ X ИПД -~ -П2 ИПВ ИПД -7- П1 ИПВ ИПС -Ь П9 ИПД

- П4 ИПЗ Fr=0 41 I ИПВ - ИПД

ПЗ ИП4 /-/ П4 ИПЭ /-/ 1 ИПВ - -

Пб С/П БП 00 ИП1 ИП2 ХУ П2 ХУ П!

1 ИПС + ИПД -т- ПЗ ИПЭ 1 ИПС +

~г Пб БП 41

Пример. Для hn6 = 23 Ом, hus - 0,25-10-, hua = -0,98 н «325 = 3-10-е См, введя код О = РХ, получим гв = 83,333333 Ом, г, = 23,333333 Ом, гк = 333 250 Ом, г„ = 326583,33 Ом и а = = 0,97999499. Для Л,о = 2800 Ом, /1,2, = 2•10- л21, = 60 и 23 = 5-10-5 Ом, введя код 1 = РХ, получим Гб = 360 Ом, г, =, = 40 Ом, = 1 220 ООО Ом, г„ = 1 200 040 Ом и а = 0,98363934.

Обратное преобразование физических параметров в /i-парамет-ры проводится по формула.м [20], приведенным в табл. 7.4.

Таблица 7.4

Параметр

С.че;ла

С общим эмиттером С общей базой С об1дим коллекторо

г л Г -

•к + -б

Программа 7.30. Расчет ft-параметров биполярного транзистора по физическим параметрам. Ввод; Гб = Р1, г, = Р2, = РЗ и а Р4. Вывод результатов: Aii-»-PA, Aiz-s-PB, Л21-»-РС=РХ и Asj-s-Pfl. При первом пуске получаем параметры схемы с общим 9мнттером, при втором - схемы с общим коллектором и при •третьем - схемы с общей базой.

Пример. Для Гб = 400 Ом, г, = 25 Ом, /„=10" Ом и а = 0,985 получим при первом нажатии клавиши С/П hn, = 2063,8935 Ом.

= 1,6638935-10- Лг.э = 65,55574 и Лаг, = 6,655574-10- См При втором нажатии клавиши С/П получим Лк, = 2063,89,35 Ом, Л12к = 0,9983361, Л21К =-66,55574 и Л22К = 6,655574-10 См. При третьем нажатии клавиши С/П получим Ли, = 30,997601 Ом. Л,2в =» 3,9984006-10-, Л21б=-0,98500599 и Л22в = 9,9960015 Ю"См.

7.6. Расчет малосигнальных усилительных каскадов

На рис. 7.11 представлены три упрощенные схемы усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Цепи питания (по постоянному току) не показаны. Эквивалентные схемы этих каскадов даны I.J рис. 7.12.

Рис. 7.11. Упрощенные схемы каскадов с общей бавдй (а), общим эмиттером (б) и общим коллектором (в)

I"

-<>>>

Is -7ei

(9)а/э

Рис. 7.12. Эквивалентные схемы каскадов с общей базой (а), общим эмиттером (б) и общим коллектором (в)

Основными параметрами усилителей в области средних частот являются входное сопротивление Rb% = Uxlh, коэффициент усиления по току Ki = huxlhn, коэффициент усиления по напряжению

7 в. п. Дьяконов