Ки == UbuxIUbx, сквозной коэффициент усиления по напряжению Ке = иых/Евх и выходное сопротивлеине Rux == Авых/Д/вых прн Д/вых, задаваемом изменением нагрузки. Рассмотрим расчет этих параметров [20].

Для каскада с общей базой (рис. 7.11,а и рис. 7.12,а):

(1 - а) г„ + R„ аг + г..

„. = + « . , . , п - "

к + б + „ + + • " в {к + б + н) + бк (•-«) + •бн

программа 7.31. Расчет параметров каскада с общей базой. Ввод: Гб = Р1, Гэ = Р2, г„ = РЗ, R„ = Р4, R„ = Р5 я а= Р6. Вывод результатов: /С -> РО = РХ, /С -> РА, К, -> РВ, ;? РС и -> РД.

ИПб ИПЗ X ИП1 + П7 ИПЗ ИП1 ИПб + 4- П8 ~ ПВ 1 ИПб - ИПЗ X ИПб + П9 ИП1 X ИП4 ИП2 + ИПЗ X + Fl/x ИП7 X ИП5 X ПО ИП7 ИПЗ X ИП2 ИПЗ X ИП1 ИПЭ X + ПА ИПЭ ИПЗ

Ч- ИП1 X ИП2 + ПС 1 ИП7 ИП2 ИП1 + ИП4 + ~ - ИП1 X ИПЗ + ПД ИПО С/П

Найдем параметры усилителя на транзисторе, имеющем параметры: Гб = 400 Ом, Гэ = 25 Ом, Гк = 10 Ом па - 0,98, если == 100 Ом н Дн = 5000 Ом. При этих данных получим Ки = = 139,51899, /Сг = 36,130459, /С/= 0,97513427, .Rbx = 34,94629 Ом и /?вых = 253428,6 Ом.

Для каскада с общим эмиттером (рис. 7.11,6 и рпс. 7.12,6):

г, Га (гк + Ru) „ (агк - з)

6 + r„(l~a) + r,+ Rn Гк(1-а) + Гз+.„ -(агк-гэ)/?и

- (алк - Гэ) Rs

К,и. = (1 - г. (1 + 7Д77тт; )

Программа 7.32. Расчет параметров каскада с общим эмиттв ром. Ввод и вывод результатов см. в программе 7.31.

Найдем параметры каскада о общим эмиттером при Лб=400Ом, Гэ = 25 Ом, г„ = 10« Ом, /?„ = 1000 Ом, /?„ = 5000 Ом и а = 0,98. Для этпх данных получим Ки - -139,45851, 81,447388, Ki=

= -39,15984, /?вх = 1403,996 Ом и /?вых = 37217,544 Ом.

Для каскада с общим коллектором (рис. 7.11, е и рпс. 7.12, б)1

„ Гк(гз + /?н) 1 Гк

«вх = бЧ- лк(1-а) + Г9 + /?н i гк(1-а)+Гэ + /?а

г кн

ГкРп

в - г. (,- + R) + (rg + /? J [., (i а) + + /?j •

программа 7.33. Расчет параметров каскада с общим коллектором. Ввод и вывод результатов см. в программе 7.31.

Найдем пapacтpы каскада с общим коллектором при Гб = = 400 Ом, Гэ = 25 Ом, Гк == Ом, /?» = 10» Ом, R = 500 Ом н а = 0,98. Получим Ки = 0,93771684, Ks = 0,67708474, Ki = 48,421071, /?вх = 25978,562 Ом и й.ых = 230,85906 Ом.

7.7. Моделирование нелинейных цепей второго порядка

В радиоэлектронике важное место занимают нелинейные цепн, описываемые нелинейными дифференциальными уравнениями второго порядка, К ним относятся f:;.1аксс1п,нснные и /.С-генеро. -ры,

7* 195

Мнкро-ЭВМ являются удобным инструментом для математического моделирования таких цепей (рис. 7.13,а).

Цепь рис. 7.13, а описывается системой дифференциальных урав« нений

(7.6)

dt du dt

i - / (u)

(7.7)

относительно переменных состояния - тока i и напряжения и. Форма колебаний в первую очередь зависит от нелинейной зависимости i(u), описывающей статическую вольтампериую характеристику нелинейного прибора НЭ (рис. 7.13,6). Далее предполагается, что

Рис. 7.13. Цепь с нелинейным элементом (а) и его Л?-образная вольт-амперная характеристика (б)

инерционность НЭ учитывается его емкостью, составляющей часть общей емкости С.

Пусть в качестве НЭ применен туннельный диод, Л-образная вольт-амперная характеристика которого описывается выражением

/(H) = ue-"«-f/)(еР«-1), (7.8)

где параметры а, D и р выражаются через напряжение C/i при пике тока /„, обратный ток /о н тепловой потенциал фг в соответствии с формулами А = elJUi; а = I/f i; D р = 1/тфт, где т - поправочный множитель (т » 2).

Используя программу решения системы из двух дифференциальных уравнений (7.6) и (7.7) с учетом (7.8), получим программу 7.34, позволяющую найти зависимость {(t) и u{t).

Программа 7.34. Расчет зависимостей i{t) и u{t) автоколебательного релаксатора па туннельном диоде. Ввод: А = Р2, а = РЗ, Z) = Р4, р = Р5, Е = Р6, = Р7, L = Р8, С= Р9, и = РВ, Uo = PC, = ft = РД и iu = РА. Вывод результатов: tn РХ, ((/„)-PY и и(„)-РС.

ИПб ИПВ ИП7 X X ИПВ -f ПО ИПС X ИП2 X

- ИПС - ИПЗ ИПД

ИПВ ИПС ИПЗ /-/ X Fe* " ИПб ИПС X Fe* I