Главная -> Книги

(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) ( 10 ) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (10)


Рис. 20. Чертеж платы трансвертера 1296/144 МГц.



лировать подгибанием или отгибанием проводника от «горячего» конца правого резонатора. При регулировке оказалось, что емкость этого проводника на «землю» достаточна для настройки в резонанс линии 3L26, поэтому емкостный шлейф, обозначенный иа схеме как ЗС66, отсутствует. Однако для удобства настройки лучше укоротить линию 3L26 примерно на 5 мм и все же добавить емкостный шлейф длиной 5-10 мм.

Связь с диодным смесителем осуществляется с помощью отрезка линии, изготовленной из посеребренного провода диаметром 0,8 мм. Для создания емкости связи конец линии делает А оборота вокруг керамического корпуса диода. Для закрепления диода вокруг его электродов сделано по три витка посеребренного провода. Зазор между диодом и платой составляет 4 мм.


Рис. 21. Монтаж гетеродина приемного тракта и диодного смесителя.

Усилитель высокой частоты приемного тракта содержит четвертьволновый короткозамкнутый шлейф 3L22 и два резонатора 3L23 и 3L24. Все они изготовлены из посеребренного провода диаметром 1,5 мм. Зазор между проводом и платой 0,8-1,0 мм. Для удобства настройки лучше укоротить линии 3L23 и 3L24 на 5 мм и добавить емкостные шлейфы из провода диаметром 0,8 мм, длиной 5-10 мм аналогично тому, как это сделано у линии 3L28.

Усилитель гетеродина, относящийся к передающему тракту, выполнен на транзисторах ЗТ4-ЗТ6. Все три транзистора снабжены общим радиатором. Для этого в плате должны быть сделаны отверстия, соответствующие внешнему диаметру транзисторов. Транзисторы припаяны к плате таким образом, чтобы их теплоотводящие фланцы выступали на 1 мм с обратной стороны платы,

Варакторный диод закреплен на плате с помощью двух полосок медной фольги, обернутой вокруг его электродов. Толщина фольги 0,2 мм, ширина полосок 5 .мм.

Полосовой фильтр (рис, 22), так же как и все подстроечные конденсаторы, стоящие в высокочастотной части передающего тракта, изготовлен из тонкой листовой меди толщиной 0,2 мм. Для придания жесткости линиям 3L9 и 3L10 у них сделаны бортики высотой 1 мм. К этим бортикам у «горячего» конца линии припаяно по две прямоугольные пластинки размером 6X6 мм. Эти пластинки являются частью конденсаторов связи 3CI5, ЗС17, ЗС19. Ответные пла-



стинки таких же размеров с помощью отрезков провода диаметром 0,8 мм припаяны к соответствующим опорным точкам. Изменяя зазор между пластинками, можно регулировать степень связи. Зазор между ливнями 31М, 3L10 и платой составляет 0,8-1,0 мм. Для настройки линий в резонанс служат лепестк» размером 5X5 мм. Для снижения потерь иа излучение линии окружены экраном. Высота экранирующих перегородок 16 мм.

Рис. 22. Монтаж параметрического преобразователя н полосового фильтра.

Усилитель мощности выполнен на транзисторах ЗТ1-ЗТЗ. Транзисторы снабжены общим радиатором н припаяны к плате таким образом, чтобы тепло-отводящие фланцы выступали с обратной стороны платы на 1 мм. На таки.к высоких частотах выводы транзисторов представляют собой отрезки полосковых линий. Поэтому во избежание нежелательных эффектов корпусы транзисторов, являющиеся заземленной обкладкой этих линий, лучше соединить с платой. Для этого служат полоски из тонкой медной фольги, проложенные между транзисторами и радиатором. Концы полосок выведены наверх и припаяны к плате. Следует обратить внимание на минимальную длину эмиттерных выводов.

Возбуждение на выходной каскад поступает по двум четвертьволновым линиям, изготовленным из посеребренного провода диаметром 0,8 мм. Зазор между линиями и платой составляет 1 мм. При этом важна только длина линий, а их конфигурация не играет особой роли.

Паразитная индуктивность конденсаторов ЗС12, ЗС2, ЗСЗ входит в состав коллекторных контуров, поэтому важно, чтобы размеры и тип этих конденсаторов соответствова.чи оригиналу. В противном случае настройка усилителя будет затруднена. На чертеже платы (рис. 20) не показаны цепи питания баз выходных транзисторов. В этн цепи входят диоды ЗД1, ЗД2 и резисторы 3R4, 3R7 стоящие вертикально около эмиттерного вывода транзисторов 5Г/, ЗТ2. К верхним концам этих цепочек, состоящих из параллельно включенных диода и резистора, припаяны дроссели 3L3, 3L4. К этим же точкам припаяны резисторы 3R2 и 3R5. Другие концы дросселей 3L3, 3L4 присоединены к базам выходных транзисторов.



(0) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) ( 10 ) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19)