особенно нри приближении к резонансу, влияние индуктивности выводов увеличивается. Резонанс наступает на ч.астоте, при которой знаменатель выражения обращается в нуль, т. е. 14я2/рез Z-C = 0, отсюда

/рез ~

2тг YlC

Это известная формула для определения резонансной частоты контура Выше резонансной частоты выражение для эквивалентной емкости становится отрицательным. Это означает, что при этом реактивность меняет знак и конденсатор имеет индуктивное сопротивление, т. е. эквивалентен катушке индуктивности. Чем больше емкость конденсатора, тем ниже его собственная резонансная частота. В результате часть разделительных и подавляющее большинство блокировочных конденсаторов, применяемых в УКВ аппаратуре, работают на частотах выше собственного резонанса. Это означает, что качество блокировки при этом мало зависит от номинальной емкости конденсатора и определяется только его собственной индуктивностью. Чем меньше длина выводов и чем меньше собственные размеры конденсатора, тем выше качество блокировки. При этом радиолюбители могут уменьшать длину выводов практически до нуля.

Существенное влияние оказывает индуктивность выводов иа работу транзи-сгоров. Главную роль при этом играет индуктивность вывода, общего для входной и выходной цепи. Так, в схеме транзисторного усилителя с заземленным эмиттером большое влияние на коэффициент усиления оказывает индуктивность эмиттерного вывода. Наличие этой индуктивности приводит к появлению отрицательной обратной связи, понижающей усиление каскада. Индуктивность в большой степени определяется тонкой проволочкой, соединяющей вывод транзистора с Кристаллом. Однако длина вывода также играет существенную роль, поэтому надо по возможности ее уменьшать. При этом не надо слишком опасаться возможности перегрева транзистора, так как тонкая проволочка является теплоизолятором между выводом и кристаллом транзистора. Важно только делать пайку быстро, чтобы не перегреть корпус транзистора. Индуктивности базового и коллекторного выводов не имеют столь большого значения, так как они могут быть включены в состав согласующих контуров. . Индуктивность базового вывода имеет большое значение при включении транзистора по схеме с общей базой. Наличие этой индуктивности приводит к появлению положительной обратной связи, а не отрицательной, как в случае включения транзистора с общим эмиттером. Это приводит к тому, что каскад, выполненный по схеме с общей базой, часто склонен к самовозбуждению. Тем не менее эта схема имеет свои достоинства, так, например, она более эффективна в умножителях частоты. Данная схема также применяется для усиления мощности на частотах выше 1 ГГц. Специально разработанные для этого транзисторы снабжены массивным выводом базы, имеющим минимальную индуктивность. Однако и нри этом, как правило, приходится принимать специальные меры по обеспечению устойчивости усиления. Одной из таких мер является включение последовательно с эмиттерным выводом резистора сопротивлением около 10 Ом, Чем больше сопротивление резистора, тем выше устойчивость каскада и тем меньше коэффициент усиления. Считается нормальным, если коэффициент усиления таких усилителей составляет от 5 до 10 раз.

Рассмотрим теперь требования, предъявляемые к дросселям, применяемым в УКВ аппаратуре. Дроссели обычно входят в цепи питания транзисторных усилителей по постоянному току. Основную опасность при этом представляет возникновение так называемых дроссельных колебаний. Дело в том, что с понижением частоты усиление транзистора растет, и благодаря наличию в коллекторной и базовой цепи больших индуктивностей могут возникнуть условия самовозбуждения. Поэтому прежде всего надо стараться обойтись вообще без дросселей в том случае, если в этом нет большой необходимости. Например, входное и выходное сопротивления маломощного транзистора на частотах порядка нескольких сотен мегагерц составляет 50-200 Ом. Отсюда видно, что если коллекторное питание поступает через резистор 1-2 кОм, это приведет к падению коэффициента усиления не более чем на 5-10%. Ясно, что применение дросселей в таком случае не имеет большого смысла. Если же без дросселя

обойтись нельзя, то надо стремиться уменьшить его индуктивность. В ламповых конструкциях обычно рекомендовалось применять четвертьволновые дроссели, т. е. дроссели; изготовленные из провода длиной около 0,25Я. В транзисторных конструкциях эту длину надо уменьшить в 2-3 раза.

Конструкция трансвертера 144/21 МГц

Трансвертер смонтирован на плате из фольгированного стеклотекстолита (рис. 18). На плате отсутствуют какие-либо экранируюшле перегородки, и тем не менее подавление побочных излучений составляет 50 дБ. Такие результаты получены благодаря тому, что монтаж выполнен на малой высоте над металлической поверхностью. Это позволяет значительно; снизить уровень паразитных межкаскадных связей, что можно проиллюстрировать следующим примером. Если, например, отогнуть детали, входящие в кварцевый задающий генератор гетеродина, на 5 мм вверх, то подавление побочных излучений упадет примерно на 10 дБ. При этом побочные излучения возникают следующим образом. Пусть для определенности передатчик настроен на частоту 144,1 МГц. Сигнал с выхода передатчика наводится на кварцевый генератор. В результате возникают биения между частотой 144,1 МГц и седьмой гармоникой генератора 20,5-7 = = 143,5 МГц. Биения с частотой 0,6 МГц модулируют сигнал гетеродина, причем, как уже указывалось, модуляция легко проникает через все каскады умножения. Это приводит к тому, что в спектре выходного сигнала появляется новая составляющая 144,1+0,6=144,7 МГц.

Несколько необычный вид имеют резонансные контуры, обеспечивающие селекцию сигналов на частотах выше 100 МГц. Это укороченные емкостью четвертьволновые резонаторы, которые для уменьшения габаритов свернуты в компактную конструкцию. Ненагруженная добротность такого резонатора равна 250. Примерно такую же добротность имеет обычный контур из посеребренного провода, однако такой контур имеет заметно большее поле рассеяния, что может потребовать дополнительных мер по экранировке каскадов трансвертера. Резонаторы выполнены из посеребренного провода диаметром 0,8 мм. Высота линии над платой около 2,5 мм. При уменьшении высоты линии поле рассеяния уменьшается, но при этом также надает добротность. Для придания жесткости линия опирается с помощью небольшого отрезка провода. Следует сразу заметить, что нительно согнута в вертикальной плоскости под углом около 45°. Лишь на опорную площадку, стоящую ближе всего к заземленному концу резонатора, линия опирается с помощью небольшого отрезка провода. Следует сразу заметить, что размеры линии и ее конфигурация не очень критичны, так как подстроечный КС>нденсатор обеспечивает перестройку резонатора в очень большом диапазоне частот. Диаметр провода также можно менять в пределах по крайней мере 0,8-1 мм. Бороздка, разделяющая первые каскады гетеродина и выходные каскады передающего тракта, выполняет роль теплового изолятора, препятствующего нагреву деталей кварцевого генератора теплом, распространяющимся от выходных каскадов по медной фольге.

Все маломощные транзисторы вставлены в отверстия, просверленные в плате. Транзисторы вставлены с обратной стороны платы и опираются на ободок, имеющийся на их корпусе. Если толщина платы превышает 1 -1,5 мм, то отверстия, предназначенные для входных транзисторов приемного тракта 1Т9, 1Т10, необходимо раззенковать с обратной стороны сверлом большего диаметра с таким расчетом, чтобы донышко транзистора находилось на одной высоте с фольгированной стороной платы. Транзисторы двух последних каскадов передающего тракта снабжены радиаторами, поэтому для них необходимо сделать отверстия по внешнему диаметру транзисторов. Лучше, если отверстия будут иметь шестигранную форму, так как это не даст транзистору вращаться при затягивании радиатора. В выходном каскаде применен транзистор типа КТ907А, у которого эмиттерный вывод соединен с корпусом. Для уменьшения индуктивности эмиттерного вывода между транзистором и радиатором необходимо вставить прокладку из медной фольги. Концы прокладки выводятся наверх и припаиваются к плате. Следует также обратить внимание на минимальную длину выводов конденсатооа 1С5, включенного между базой и эмиттером выходного транзистора.

Рис. 18. Чертеж платы трансвертера 144/21 МГц. Пунктирной линией показаны проводники, проложенные с обратной стороне! платы.